deuterium oxideとは 意味・読み方・使い方

A deuterium oxide is used in vapor oxidizing to form a vapor oxide.例文帳に追加

蒸気酸化中に重水素の酸化物を使用して、酸化蒸気を形成する。 - 特許庁

Since the deuterium resembles hydrogen chemically, an oxidizing process always occurs, and a silicon-silicon oxide interface is saturated with the deuterium at the same time.例文帳に追加

重水素は化学的に水素に似ているので、酸化プロセスは通常に起こり、シリコン−酸化珪素界面は同時に重水素で飽和される。 - 特許庁

The pad 10 for a magnetic resonance apparatus has a hollow flexible container 11 and deuterium oxide 12 stored in the container 11.例文帳に追加

磁気共鳴装置用パッド１０は、中空の柔軟な容器１１と、この容器１１に収容された酸化重水素１２とを備える。 - 特許庁

This thermal energy generation method includes a step of treating the powder so that the oxide on the surface of powder of the Pd containing alloy having deuterium super-absorptivity is removed, and a step of supplying high-purity deuterium gas to the treated powder.例文帳に追加

熱エネルギー発生方法は、重水素超吸収性を有するＰｄ含有合金の粉末の表面の酸化物が除去されるように粉末を処理するステップと、高純度の重水素ガスを処理された粉末に供給するステップとを包含する。 - 特許庁

In the cleaning method of an oxide substrate, at least one of atomic hydrogen and atomic deuterium is brought into contact with the surface of the oxide substrate to clean the surface of the oxide substrate without heating the oxide substrate placed in a vacuum atmosphere.例文帳に追加

真空雰囲気中に置いた酸化物基板を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板の表面を清浄化処理することを特徴とする酸化物基板の清浄化方法。 - 特許庁

The resulting system employs deuterated solvent, such as deuterium oxide, as the sheath liquid, which allows H/D exchange experiments to be performed on-line.例文帳に追加

得られるシステムは、シース液として、酸化デューテリウムなどの重水素化溶剤を用いるので、Ｈ／Ｄ交換実験をオンラインで実施することができる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a gate insulating film constituted of a two-layer film of a silicon oxide film 111 containing a deuterium and a silicon nitride film 121 containing a deuterium sequentially arranged on a silicon substrate 1; and a gate electrode constituted of three-layer film of a doped polysilicon film 13, a barrier metal layer 14, and a metal film 15 of tungsten or the like sequentially arranged on a silicon nitride film 121.例文帳に追加

シリコン基板１上に順に配設された重水素を含む酸化シリコン膜１１１および重水素を含む窒化シリコン膜１２１の２層膜で構成されるゲート絶縁膜と、窒化シリコン膜１２１上に順に配設されたドープトポリシリコン膜１３、バリアメタル層１４、タングステン等の金属膜１５の３層膜で構成されるゲート電極とを備えている。 - 特許庁