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diffusion capacitanceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 拡散容量; 拡散キャパシタンス
「diffusion capacitance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 64件
In addition, because the diffusion barrier is not used, an extra wiring capacitance is not added.例文帳に追加
また、拡散バリアを用いないため、余分の配線容量は加わらない。 - 特許庁
The bit line parasitic capacitance Ck1 is the parasitic capacitance formed between the bit line BL and low voltage power supply (ground potential), and consists of a capacitance between adjacent bit lines and a diffusion layer capacitance of memory cell transistors.例文帳に追加
ビット線寄生容量Ｃｋ１は、ビット線ＢＬと低電位側電源（接地電位）の間に形成される寄生容量であり、隣接ビット線間の容量やメモリセルトランジスタの拡散層容量などから構成される。 - 特許庁
To reduce a parasitic capacitance of a floating diffusion part while adopting direct sticking structure.例文帳に追加
直貼り構造を採用しつつ、浮遊拡散部の寄生容量を減少させる。 - 特許庁
The variable capacitance is provided by excluding or including a transfer gate transistor capacitance in addition to a floating diffusion capacitance.例文帳に追加
可変キャパシタンスは、浮遊拡散部キャパシタンスに加えてトランスファゲート・トランジスタのキャパシタンスを排除すること又は含めることによって提供される。 - 特許庁
When layout-arranging a compensation capacitance part of a semiconductor device having the internal power supply and the compensation capacitance part supplying power to the internal power supply, a rectangular region of a diffusion layer is arranged in a region configuring the compensation capacitance part.例文帳に追加
内部電源と、該内部電源に電源を供給する補償容量部を有する半導体装置の補償容量部のレイアウト配置の際に、補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置する。 - 特許庁
By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加
Ｎ型埋込み拡散層とＰ型拡散層との接合面、およびＮ型埋込み拡散層と高不純物濃度のＰ型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のＰ型第二埋込み拡散層を介在させることにより、Ｃ−ＥＰＩ容量が減少する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that can be reduce the capacitance, such as the gate electrode-drain wiring capacitance, gate electrode-drain diffusion region capacitance, gate electrode-drain electrode capacitance, etc., and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加
ゲート電極−ドレイン配線間容量、ゲート電極−ドレイン拡散領域間容量及びゲート電極−ドレイン電極間容量などの素子容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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「diffusion capacitance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 64件
To provide a semiconductor layout which keeps balance of capacity loads at paired wirings connected to a plurality of diffusion layers, respectively though parasitic capacitance with respect to wirings respectively connected to a plurality of diffusion layers varies when the plurality of diffusion layers are shared for saving of a semiconductor integrated circuit area.例文帳に追加
半導体集積回路の面積を節約するために、複数の拡散層を共有化すると、それらの拡散層に接続された配線に対する寄生容量が変化する。 - 特許庁
A gate electrode terminal of the first MOS capacitance is equivalently connected to a diffusion layer side terminal (terminal opposite to the gate electrode terminal) of the second MOS capacitance, and a potential difference generating element 16 for generating potential difference, based on the current flowing, is connected between the diffusion layer side terminal of the first MOS capacitance and the gate electrode terminal of the second MOS capacitance.例文帳に追加
第１のＭＯＳ容量のゲート電極端子と、第２のＭＯＳ容量の拡散層側端子（ゲート電極端子とは反対の端子）が等価的に接続され、第１のＭＯＳ容量の拡散層側端子と第２のＭＯＳ容量のゲート電極端子の間に、電流が流れることにより電位差を発生する電位差発生素子１６が接続される。 - 特許庁
Accordingly, capacitance 17 for reducing afterimage to be coupled with the floating diffusion 16 is formed.例文帳に追加
これにより、フローティングディフュージョン１６とカップリングする残像低減用容量１７が形成される。 - 特許庁
Decoupling capacitance is formed between the second well 3 and the high-concentration diffusion layer region 11 and between the second well 3 and the substrates 1 and 10.例文帳に追加
第２ウェル３と高濃度拡散領域１１との間、及び、第２ウェル３と基板１、１０との間でデカップリング容量が形成される。 - 特許庁
The diffusion capacitance is thereby reduced compared to a tub having a uniform tub depth, so that a high saturation current is produced at low voltages.例文帳に追加
拡散容量はそれにより、一様な深さを持つタブと比較して減少し、その結果、低電圧において高い飽和電流が生み出される。 - 特許庁
To provide a shared-pixel-type image sensor capable of controlling capacitance of a floating diffusion region.例文帳に追加
フローティング拡散領域のキャパシタンスを制御できる共有ピクセル型イメージセンサを提供する。 - 特許庁
At this point, capacitance is formed between the well and the diffusion layer, whose conductivity is opposite type to that of the well, so that current is restrained from changing sharply.例文帳に追加
このとき、ウェルとそのウェルと反対の導電型の拡散層との間に容量を有することになるので、電流の急激な変化を抑制する。 - 特許庁
When end dummy patterns are disposed at both ends of the p^+ diffusion regions 2 and 3 or at a periphery, unbalance of capacitance due to dislocation is prevented.例文帳に追加
ｐ^+ 拡散領域２，３の両端または周囲にエンドダミーパターンを設けると，位置ずれによるキャパシティのアンバランスが防止される。 - 特許庁
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