dislocation sourceとは 意味・読み方・使い方

When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.例文帳に追加

ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁

To provide a surface light source device high in brightness balance, hardy causing deterioration of brightness balance due to dislocation between a diffuser plate and a light source, having a simple structure.例文帳に追加

輝度均斉度が高く、光拡散板と光源との位置ずれによる輝度均斉度の低下が生じにくく、構造が簡単な面光源装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical sensor device having the simple constitution for detecting the light from a light source with constant detecting sensitivity regardless of axial dislocation of the light source.例文帳に追加

光源の軸ずれに拘わることなく、光源からの光を一定の検出感度で検出することのできる簡易な構成の光学センサ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laser light source capable of enhancing coupling efficiency of a semiconductor laser element and a wavelength conversion element by preventing dislocation of a connection surface of an optical fiber and the wavelength conversion element and to provide a laser exposure device.例文帳に追加

光ファイバ及び波長変換素子の接続面の位置ずれを防止し、半導体レーザ素子と波長変換素子の結合効率を向上させることが可能なレーザ光源及びレーザ露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser element with a low thermal resistance and a low dislocation, a surface emitting laser array element, a surface emitting laser device, a light source device, and an optical waveguide module.例文帳に追加

低熱抵抗かつ低転位の面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、面発光レーザ装置、光源装置、および光導波路モジュールを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN crystal, which is low in dislocation density and high in crystallinity, without adding impurities other than the source material to a melt and also without increasing the scale of a crystal growth apparatus.例文帳に追加

融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The auxiliary particles are discharged onto a photosensitive drum 1 by applying a discharging bias to the developing roller 8 by a developing bias power source 13 between sheets of paper and the auxiliary particles are temporarily stuck on a transfer roller 5 by applying a dislocation bias to the transfer roller 5 from a transfer bias power source 14.例文帳に追加

そこで、紙間中に、現像バイアス電源１３により現像ローラ８に吐出バイアスを印加して補助粒子を感光ドラム１上に吐き出させ、この補助粒子を転写バイアス電源１４により転写ローラ５に転移バイアスを印加して転写ローラ５に一時的に付着させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate, with which fine dislocation defects or the like present in a source silicon carbide substrate can be sufficiently terminated and production of new micro-defects can be suppressed, and to provide a semiconductor substrate manufactured by using the method.例文帳に追加

原炭化珪素基板に内在する微細な転移欠陥等を十分に終端すると共に、新たな微細欠陥の発生を抑制することのできる半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板を提供する。 - 特許庁