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drift alongとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 漂流する、あてどもなくさまよう、ぼんやり暮らす
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drift alongの学習レベル | レベル：30 |
「drift along」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
The pulse-like ion group introduced into the drift chamber 21 moves with a temporal delay by being influenced by molecules of a drift gas introduced from a drift gas introduction tube 47 and reaches a collection electrode 45 along a nearly uniform electric field formed in the drift chamber 21.例文帳に追加
ドリフト室２１に導入されたパルス状のイオン群は、ドリフトガス導入管４７より導入されたドリフトガスの分子の影響を受けることで時間的遅れを持って移動し、ドリフト室２１内に形成されたほぼ均一の電界に沿って集電極４５に到達する。 - 特許庁
A drift region and a source/drain ion implanted region are formed on the surface part of a substrate, a trench is made deeper than the drift region in the substrate and a channel 36 is formed along the bottom face part of the trench.例文帳に追加
本発明は、基板表面部にドリフト領域とソース／ドレインイオン注入領域とを形成させ、その基板にドリフト領域より深くトレンチを形成させ、そのトレンチの底面部分に沿ってチャネル３６を形成させる。 - 特許庁
Along the gate insulation film 42, the drift region 26, the first additional semiconductor region 36, the drift region 26, the body region 32, and the emitter region 34 are arranged sequentially.例文帳に追加
ゲート絶縁膜４２に沿って、ドリフト領域２６、第１付加半導体領域３６、ドリフト領域２６、ボディ領域３２、エミッタ領域３４が順に並んでいる。 - 特許庁
In an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), an insulating region 62 is formed as extended in the drift layer 28 up to a buffer layer 26 and arranged while being dispersed along an interface between the buffer layer 26 and the drift layer 28.例文帳に追加
ＩＧＢＴにおいて、ドリフト層２８内を伸びてバッファ層２６に達するとともに、バッファ層２６とドリフト層２８の界面に沿って分散配置されている絶縁領域６２が形成されている。 - 特許庁
The long sides 15a extend along the drift plate 14, and the short sides 15b and the connection parts 15c are folded inward of the drift plate 14 via a folding part 15b.例文帳に追加
長辺１５ａは吹き寄せ板１４に沿って延在しており、短辺１５ｂと連結部１５ｃとは折り曲げ部１５ｄを介して吹き寄せ板１４の内側に折り曲げられている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device suppressing an occurrence of a black silicon in a trench and forming a drift region along the trench.例文帳に追加
トレンチ内のブラックシリコンの発生を抑制し、トレンチに沿ってドリフト領域が形成される半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To apply prescribed or more magnetic fields, and also to adjust the distribution in the intensities of the magnetic fields along the direction in the width of a mold corresponding to a drift.例文帳に追加
所定以上の磁場を印加可能であり且つ偏流に対応した鋳型幅方向に沿った磁場の強度分布を調整可能とする。 - 特許庁
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「drift along」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
A semiconductor substrate 20 of an upright semiconductor device 11 is provided with a drift region 28 containing n^--type impurities, and two kinds of partial regions 62, 64 formed along the surface of the semiconductor substrate 20 on the surface side of the drift region 28.例文帳に追加
縦型の半導体装置１１の半導体基板２０は、ｎ^−型の不純物を含むドリフト領域２８と、そのドリフト領域２８の表面側において半導体基板２０の表面に沿って形成されている２種類の部分領域６２、６４を備えている。 - 特許庁
The air is spread along a wall face 17b directed to the side of a combustion chamber 18 of the drift cylindrical body 17 in the radial direction and made easy to mix with sprayed fuel, thus suppressing the temperature rise of the drift cylindrical body 17 and effectively preventing the oxidation resulting from the exposure of the wall face 17b directly to a high temperature gas mass.例文帳に追加
空気は、偏流筒体１７の燃焼室１８側に向いた壁面１７ｂに沿って半径方向に広がり、燃料噴霧と混合しやすくなり、偏流筒体１７の温度上昇を抑止すると共に、壁面１７ｂが高温ガス塊との直接曝露に起因した酸化防止にも効果的である。 - 特許庁
The semiconductor device includes: p-type pillars 1 formed in an n-type drift layer 4 in stripes having lengths along a Y axis parallel to a plane of the n-type drift layer 4 and periodically along an X axis orthogonal to the Y axis; and a plurality of field plate electrodes 2 formed concentrically and annularly enclosing the element region 100 in the terminal region 200.例文帳に追加
半導体装置は、ｎ型ドリフト層４内にその平面と平行なＹ軸方向を長手方向としてストライプ状に且つＹ軸方向と直交するＸ軸方向において周期的に形成されたｐ型ピラー１と、終端領域２００において素子領域１００を取り囲むように同心環状に形成された複数のフィールドプレート電極２とを備える。 - 特許庁
Each of the drift semiconductor regions 32 and 33 is disposed on the principal plane of the drain semiconductor section 2, and includes a pn junction extended along a face crossing the principal plane.例文帳に追加
ドリフト半導体領域３２，３３は、ドレイン半導体部２の主面上に設けられ、主面に交差する面に沿って延びるｐｎ接合を有する。 - 特許庁
The n-type channel semiconductor 5 is provided along the p^+-type gate semiconductor 4 and electrically connected to the fourth region 3d of the n-type drift semiconductor 3.例文帳に追加
ｎ型チャネル半導体部５は、ｐ^＋型ゲート半導体部４に沿って設けられ、ｎ型ドリフト半導体部３の第４の領域３ｄに電気的に接続されている。 - 特許庁
An annular gate electrode 6 is provided above pn-junction portions 22 between the side surfaces of the p-type body region 4 and the n-type drift region 3 along the pn-junction portions 22.例文帳に追加
ｐ型ボディ領域４の側面とｎ型ドリフト領域３とのｐｎ接合部２２の上方に、そのｐｎ接合部２２に沿って、環状のゲート電極６が設けられる。 - 特許庁
To safety run an automobile by securing the visibility of a driver by effectively guiding drift snow flowing along a wide lane road by taking a note to a fact that the blowing direction of the drifting snow by monsoon is approximately constant.例文帳に追加
季節風による地吹雪は吹き付け方向が略一定であることに着目し、広幅員道路に沿って流れる地吹雪を効果的に誘導することにより、運転者の視程を確保して自動車が安全に走行できるようにする。 - 特許庁
An inner space of the output cavity 30 is partitioned with partition walls 31, 32 and the output cavity 30 is constituted of a plurality of cell cavities 34, 35, 36 arrayed along the drift space 21.例文帳に追加
出力空胴３０の内部空間は、隔壁３１，３２により仕切られていて、出力空胴３０は、ドリフト空間２１に沿って並んだ複数のセル空胴３４，３５，３６から構成されている。 - 特許庁
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