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drop zone areaとは 意味・読み方・使い方
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該当件数 : 1件
In a non-punch through-trench IGBT device with extremely low voltage drop quantity V_CEON, an n^- non-epitaxial float zone 126 constituting a part of a buffer area is formed in a single crystal silicon wafer 125 and an additional depletion stop layer 30 to be an n^+ buffer layer is formed on the surface of its bottom.例文帳に追加
極めて低い電圧低下量V_CEONの非パンチスルートレンチIGBTデバイスにおいて、単結晶シリコンウエハ125中に、バッファー領域の一部を構成するN^−非エピタキシャルフロートゾーン126とその底部表面にN^+バッファー層である追加の空乏ストップ層30を設ける。 - 特許庁
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