electron avalancheとは 意味・読み方・使い方

Thereby, an electric field having intensity capable of causing an electron avalanche even at a voltage lower than the voltage applied to a conventional proportional counter tube can be obtained, and the detector can be simplified and made operable at a low voltage.例文帳に追加

これにより、従来の比例計数管よりも低い電圧でも電子なだれが発生し得る強度の電界を得ることができ、装置を簡素化・低電圧化することが可能となる。 - 特許庁

An excitation electron generated with an optical signal absorbed in the emitter light absorption layer 170 is intensified through a thin avalanche gain structure layer 160 and accelerated in speed passing through the hot electron transition layer 125 to reach the collector layer 110.例文帳に追加

光信号がエミッタ光吸収層１７０に吸収されつつ生じた励起電子は、薄いアバランシェ利得構造層１６０を通じて増倍され、ホットエレクトロン転移層１２５を通過しつつ高速化されてコレクタ層１１０にまで達する。 - 特許庁

To increase response speeds of an electric current signal, and improve yield of an ion electric current in a gas amplifying method ion electric current detection type SEM in which a secondary electron image can be obtained even in a low vacuum condition by utilizing an electron avalanche by a residual gas in a sample room.例文帳に追加

試料室内の残留ガスによる電子なだれを利用することで、低真空条件でも二次電子像を取得できるガス増幅式イオン電流検出型SEMにおいて、電流信号の応答速度の高速化およびイオン電流の収量の向上を図る。 - 特許庁

To further improve response speed by shortening a drift hour of ions, to raise efficiency in gas amplification caused by an electron avalanche, to improve the efficiency of ion detection, and to improve the image quality of a low-vaccum secondary electron image.例文帳に追加

本発明が解決しようとする問題は、イオンのドリフト時間の短縮による更なる応答速度の向上、電子なだれによるガス増幅の高効率化とイオン検出効率の向上、および低真空二次電子像の像質改善である。 - 特許庁

The avalanche photodetector has an emitter light absorption layer 102 between a collector layer C and an emitter layer (top contact layer) E formed on a substrate S wherein two avalanche gain structure layers comprising charge layers 103 and 107, amplification layers 104 and 108 and an electron contact layer 105 are formed between the light absorption layer 102 and the collector layer C.例文帳に追加

アバランシェ光検出器は、基板Ｓ上に積層されたコレクター層Ｃとエミッタ層(トップコンタクト層)Ｅ間にエミッタ光吸収層１０２を備え、光吸収層１０２とコレクター層Ｃ間に電荷層１０３，１０７、増幅層１０４、１０８及び電子コンタクト層１０５で構成されたアバランシェ利得構造層が２層設けられている。 - 特許庁

The electrode for placing wafers in a plasma processing apparatus use a tapered gas hole for a gas inlet pipe 5 which is provided in the main body of the electrode 1, thus suppressing dielectric breakdown due to secondary electron avalanche phenomenon and improving withstand voltage.例文帳に追加

プラズマ処理装置のウエハ載置用電極において、電極本体１内に設けられているガス導入管５としてガス孔がテーパ形状をしたものを用い、これにより二次電子なだれ現象による絶縁破壊を抑え、耐電圧の向上が得られるようにした。 - 特許庁

A vapor deposition film formed on the inside wall of a neck part 10 prevents local increase in potential in the inside wall of the neck part 10 and in an insulating support body 6 because of secondary electron emission avalanche suppressing effect, so that electrical discharge inside the neck part 10 is prevented.例文帳に追加

ネック部１０の内壁に形成された蒸着膜は、２次電子放出なだれ抑制効果により、ネック部１０の内壁および絶縁支持体６の部分的な電位上昇を阻止し、ネック部１０内における放電を防止する。 - 特許庁

The HPD 28 is equipped with a photoelectric surface 28a and an APD (avalanche photodiode) 28b and has two operation modes, i.e., an electron irradiation mode wherein the quantity of photoelectrons emitted by the photoelectric surface 28a is measured and a light transmission mode wherein the quantity of light transmitted through the photoelectronic surface 28a is measured.例文帳に追加

ＨＰＤ２８は、光電面２８ａとAPD２８ｂとを備え、光電面２８ａから放出された光電子量を計測する電子照射モードと、光電面２８ａを透過した光量を計測する光透過モードとの２つの動作モードを有する。 - 特許庁