In one embodiment, a plasma formed from NF3 is diluted with N2 to etch residue from the surfaces of the processing chamber used to deposit silicon oxide glass.例文帳に追加

実施形態においては、ＮＦ_3から生成されたプラズマをＮ_2で希釈して、酸化ケイ素ガラスを堆積するために用いた処理チャンバの表面から残渣をエッチングする。 - 特許庁

Finally, the upper surfaces of the element separating insulating films (2) and (3) are exposed to etch the element separating insulating films (2) and (3) to make them lower than first conductor film (22).例文帳に追加

次に、素子分離絶縁膜（２）（３）の上面を露出し、その素子分離絶縁膜（２）（３）を第１導電体膜（２２）よりも低くなるようにエッチングする。 - 特許庁

To satisfactorily etch substrates by eliminating the occurrence of such a phenomenon that the adhesive surface of a substrate connecting tape adheres to the exposed surfaces opposite to the adhesive substrates and becomes inseparable.例文帳に追加

基板接続用テープの粘着面が逆の露出面に接着して離れない現象を解消し、良好なエッチングを行うことを課題とする。 - 特許庁

Second feeding nozzles of washing solution for feeding a solution to remove slurry from the peripheries of the upper and lower surfaces of the wafer W and to etch an unnecessary thin film of the peripheries are provided to the peripheries.例文帳に追加

また、ウエハＷの上面および下面の周縁部に、その周縁部からスラリーを除去したり、その周縁部の不要な薄膜をエッチングしたりするための液を供給するための第２洗浄液供給ノズルが設けられている。 - 特許庁

The plasma mixture is used to clean deposits from the interior surfaces of the processing chamber, or can be used to perform an etch step on a processed wafer within the processing chamber.例文帳に追加

プラズマ混合物は、処理チャンバの内面から堆積物を洗浄するために用いられ、処理チャンバ内で処理ウェーハ上のエッチングステップを行うためにも使用し得る。 - 特許庁

The surfaces of super-abrasive grains 1 are covered with metal covering layers 11 consisting of copper, and a chemical agent such as Mech-Etch Bond (trade mark) is applied to the surface of each covering layer 11 followed by a chemical etching process so that a surface is formed where a number of micro-projections 11a remain.例文帳に追加

超砥粒１の表面を銅からなる金属被覆層１１で被覆し、金属被覆層１１の表面にメックエッチボンド（商標）等の薬剤を塗布して化学的にエッチング処理し、多数の微細な突起１１ａ…の残存した表面を形成して金属被覆砥粒１０を構成する。 - 特許庁

In the step of cutting the pair of the inorganic substrates 10, etching liquid 58 is allowed to flow into the flow path 56 with respect to an inorganic material to etch at least one of the surfaces of the pair of the inorganic substrates 10 along the flow path 56 to form a groove 60.例文帳に追加

一対の無機基板１０を切断する工程は、流路５６に無機材料に対するエッチング液５８を侵入させ、流路５６に沿って一対の無機基板１０の少なくとも一方の面をエッチングして溝６０を形成する。 - 特許庁

In a periphery part cleaning box 300 for cleaning selectively the periphery part of the wafer W, a second cleaning-liquid feeding nozzle, which feeds an etching liquid to remove slurry from the periphery part of the wafer and to etch an unnecessary thin film around the periphery part, is located around the periphery part of upper/lower surfaces of the wafer W.例文帳に追加

また、ウエハＷの周縁部を選択的に洗浄するための周縁部洗浄ボックス３００には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に、その周縁部からスラリーを除去したり、その周縁部の不要な薄膜をエッチングしたりするためのエッチング液を供給するための第２洗浄液供給ノズルが配設されている。 - 特許庁

The method further comprises providing a probe substrate defining a planar surface and a second crystal plane identical to the first crystal plane and positioning the probe substrate so that the first and the second crystal planes are positioned identically when forming the probe from the probe substrate using the specific etch reagent, and the probe defines congruent surfaces to the first sidewall and the second sidewall.例文帳に追加

この方法は、平坦面と、第１の結晶面と同一の第２の結晶面とを形成するプローブ基板を配設することと、特定の腐食剤を使用してプローブ基板からプローブを形成する際に、第１および第２の結晶面が全く同じに配置され、プローブが第１の側壁及び第２の側壁と一致する表面を形成するようにプローブ基板を配置することとをさらに含む。 - 特許庁