etchingsとは 意味・読み方・使い方

Then, the respective etchings are conducted using separate mask patterns with the same-sized openings.例文帳に追加

この時、それぞれのエッチングは同じ大きさの開口部を有するそれぞれのマスクパターンを利用して行う。 - 特許庁

Hereby, the element isolation oxide film 10 accumulated in the trench widens above the trench, and debots will not occur even by subsequent etchings.例文帳に追加

これにより、トレンチ内に堆積した素子分離酸化膜１０は、トレンチの上部で広がり、そ野後のエッチングによってもディボット２２が発生しない。 - 特許庁

Therefore, the substrate 10 having a ridge 10a where both sides are constituted of the {111} B faces is manufactured by those two types of etchings.例文帳に追加

これら２種類のエッチングにより、両側面が｛１１１｝Ｂ面で構成されたリッジ部１０ａを有する基板１０が作製される。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a micro structure hardly giving birth to side etchings of a conductive layer in a process of removing a sacrifice layer.例文帳に追加

犠牲層を除去する工程において導電層のサイドエッチングが生じ難いマイクロ構造体の製造方法を得る。 - 特許庁

Sec.201 Works not Covered The provisions of this Chapter shall not apply to prints, etchings, engravings, works of applied art, or works of similar kind wherein the author primarily derives gain from the proceeds of reproductions.例文帳に追加

第201条 対象にならない著作物 本章の規定は，著作者が本来複製物の売上から利益を得る印画，エッチング絵画，版画，応用美術の著作物その他類似の著作物については，適用しない。 - 特許庁

Etchings to the magnetoresistive effect film and the 1st stopper layer are performed simultaneously and a pattern is formed by using at least metal of slow CMP polish rate for the first stopper layer.例文帳に追加

少なくとも第一のストッパー層をＣＭＰ研磨レートの遅い金属とすることによって、磁気抵抗効果膜と第一のストッパー層を同時にエッチングしパターンを形成する。 - 特許庁

Thereby, the amount of side etchings is decreased and thereafter, a silicon film is deposited and generation of the residues of the silicon film on a side etching part 5 is eliminated by an anisotropic etching at the formation of a low-breakdown voltage gate electrode 8.例文帳に追加

これによってサイドエッチ量が減少し、その後シリコン膜を堆積して低電圧部のゲート電極８を形成するときの異方性エッチングでサイドエッチ部５にシリコン膜の残留物が生じることがなくなる。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing semiconductor devices wherein its sufficient characteristics can be secured for selectively etching an etched film, the upper-layer film thereof, and the lower-layer film thereof which are present on its semiconductor substrate and are object of dry etchings.例文帳に追加

ドライエッチングの対象となる半導体基板上の被エッチング膜とその上層の膜や下層の膜との選択的なエッチング特性を十分に確保し得る半導体製造装置を提供する。 - 特許庁