ferroelectric random access memoryとは 意味・読み方・使い方

The memory cell M00 consists of an SRAM (static random access memory) 4 and FeRAMs (ferroelectric RAMs) 5-0 to 5-n.例文帳に追加

メモリセルＭ００は、ＳＲＡＭ４と、ＦｅＲＡＭ５−０〜５−ｎとからなる。 - 特許庁

CAPACITIVELY COUPLED FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

容量的に結合された強誘電体ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法 - 特許庁

NON-VOLATILE FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND PLATE LINE DRIVING METHOD例文帳に追加

不揮発性強誘電体ランダムアクセスメモリ装置及びプレートライン駆動方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory provided with a ferroelectric capacitor having a high switching speed.例文帳に追加

高速なスイッチング速度を有する強誘電体キャパシタを含む強誘電体ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To allow checking of a short circuit between a lower ferroelectric layer and an upper ferroelectric layer of a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

ＭＲＡＭの下層強誘電体層と上層強誘電体層がショートしているか否かを検査することができる。 - 特許庁

This device comprises a cross point type ferroelectric memory 30 and a write-back type cache memory 40 being able to perform random access, access for the cross point type ferroelectric memory 30 is performed through a second memory.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリ３０と、ランダムアクセスが可能なライトバック型のキャッシュメモリ４０を含み、クロスポイント型強誘電体メモリ３０へのアクセスは第２のメモリを介して行う。 - 特許庁

The reference circuit of this invention is used as a circuit generating reference voltage in a non-volatile semiconductor memory device, namely, in a ferroelectric random access memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置、すなわち強誘電体ランダムアクセスメモリ装置において基準電圧を発生する回路として使用される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY(DRAM) AND FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY(FERAM)例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）及び強誘電性ランダムアクセスメモリ（ＦＥＲＡＭ）用の３次元的金属—絶縁体—金属コンデンサを製造する方法 - 特許庁