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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英・英日専門用語 > gallium phosphorusの意味・解説 

gallium phosphorusとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 ガリウム燐


日英・英日専門用語辞書での「gallium phosphorus」の意味

gallium phosphorus


「gallium phosphorus」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 17



例文

Gallium phosphorus is further deposited on the surface of the semiconductor wafer W by this gradual cooling and the semiconductor layer of gallium phosphorus is epitaxially grown.例文帳に追加

この徐冷によって、半導体ウエハWの表面にガリウム燐がさらに析出し、ガリウム燐半導体層がエピタキシャル成長していく。 - 特許庁

(xx) Organometallic compounds of aluminum, gallium, or indium, or organic compounds of phosphorus, arsenic, or antimony発音を聞く 例文帳に追加

(二十) アルミニウム、ガリウム若しくはインジウムの有機金属化合物又は燐、砒素若しくはアンチモンの有機化合物 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The solid electrolyte layer 3 contains at least one substance selected from phosphorus, silicon, germanium, and gallium, and lithium as well as sulfur.例文帳に追加

固体電解質層3は、リン,珪素,ゲルマニウム,およびガリウムから選ばれた少なくとも1つの物質と、リチウムと、硫黄とを含んでいる。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor film contains gallium and indium as group III elements and arsenic, phosphorus, and nitride as group V elements.例文帳に追加

III−V族化合物半導体膜は、III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、V族元素として砒素、燐及び窒素を含む。 - 特許庁

The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b contain gallium elements, indium elements, nitrogen elements, arsenic elements, and phosphorus elements.例文帳に追加

第3の化合物半導体層23a、23bは、ガリウム元素、インジウム元素、窒素元素、砒素元素、及び燐元素を含む。 - 特許庁

The phosphorous semiconductor layer may be a multilayer structure and have a layer containing aluminum as well as have a layer containing gallium, indium, or phosphorus.例文帳に追加

リン系半導体層は多層構造でアルミニウムを含有する層を有していても、ガリウム・インジウム・リンを含む層を有していてもよい。 - 特許庁

例文

A: lithium, B: one or more kinds of elements chosen from a group which consists of phosphorus, silicon, germanium, and gallium, C: sulfur, and D: silver.例文帳に追加

A:リチウム B:リン、ケイ素、ホウ素、ゲルマニウムおよびガリウムよりなる群から選ばれた1種類以上の元素 C:イオウ D:銀 - 特許庁

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クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「gallium phosphorus」の意味

gallium phosphorus


「gallium phosphorus」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 17



例文

For a multi-layer film reflection mirror 2, a semiconductor multi-layer film structure constituted of a high refractive index semiconductor layer composed of gallium arsenide or aluminum gallium arsenide and a low refractive index semiconductor layer composed of a III-V compound semiconductor including phosphorus is used.例文帳に追加

多層膜反射鏡2,2aに、ガリウム砒素あるいはアルミニウムガリウム砒素からなる高屈折率半導体層と、燐を含むIII−V族化合物半導体からなる低屈折率半導体層により構成される半導体多層膜構造を用いる。 - 特許庁

A coating part 23 containing at least one or more kinds of elements selected from sulfur, phosphorus, arsenic, selenium, zinc, gallium and indium, is formed on an inner face of a vacuum envelope 11 and an antimony cup 21.例文帳に追加

真空外囲器11の内面およびアンチモンカップ21に、硫黄、リン、ヒ素、セレン、亜鉛、ガリウムおよびインジウムから選んだ少なくとも1種以上の元素を含有するコーティング部23を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device sequentially comprises a first part 22 of a collector region 29 of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), and contains boron at a high concentration; a second part 23 of the collector region 29 which contains boron and gallium at a high concentration in total; and a base region 24 containing phosphorus.例文帳に追加

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であり、ボロンを高濃度に含むコレクタ領域29の第1部分22と、ボロンとガリウムを合計で高濃度に含むコレクタ領域29の第2部分23と、リンを含むベース領域24を順に備えている。 - 特許庁

GaInNAs comprising gallium(Ga), indium(In), nitrogen(N), and arsenic(As) with a thickness of 2 nanometers or less, while a composition of arsenic(As) or phosphorus(P) being 20% or less, or GaInNP where the arsenic is replaced with phosphorus(P), is a light-emitting layer, providing light-emission at a wavelength of 500-600 nanometer range.例文帳に追加

厚さが2ナノメートル以下で、砒素(As)あるいは燐(P)の組成が20%以下である、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、窒素( N )および砒素(As)を構成元素とするGaInNAs、あるいはこの材料の砒素を燐(P)に置き換えたGaInNP、を発光層とする半導体発光素子材料および構造により、波長500〜600ナノメートルにおける発光を得る。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte composition contains electrolyte salt, nonaqueous solvent, oxalate complex salt having, as a central ion or a central atom, one kind selected from a group consisting of boron, aluminum, gallium, phosphorus, arsenic and antimony, and a sulfone derivative.例文帳に追加

非水電解質組成物は、電解質塩と、非水溶媒と、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、リン、ヒ素及びアンチモンから成る群より選ばれたいずれか1種を中心イオン又は中心原子とするオキサラト錯体塩と、スルホン誘導体を含有する。 - 特許庁

The depth of a material removed from a substrate capable of transmitting light is controlled in accordance with the depth of ion implantation of a light absorbing material such as gallium, arsenic, boron, phosphorus, antimony or a compound of these into a defect on the substrate and/or a region surrounding the defect.例文帳に追加

光透過可能基板上の欠陥またはその欠陥を取り囲む領域あるいはその両方へのガリウム、砒素、ホウ素、燐、アンチモン、またはこれらの化合物などの吸光材料のイオン注入の深さにより、基板から除去される材料の深さが制御される。 - 特許庁

The cast alloy can comprise 0.05 to 0.3% zirconium, gallium phosphide and/or indium phosphide in an amount equal to 1 to 250 ppm of phosphorus, and/or titanium and boron added by an aluminum master alloy comprising 1 to 2% Ti and 1 to 2% B for refining crystal grains.例文帳に追加

0.05〜0.3重量%のジルコニウム、および結晶粒微細化のための、1〜250ppmのリンに相当する量のガリウム燐化物および/またはインジウム燐化物、および/または1〜2重量%のTiおよび1〜2重量%のBを有するアルミニウム母合金によって加えられるチタンおよび硼素を含んでもよい。 - 特許庁

例文

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程S120aと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−V族化合物半導体膜を形成する工程S130と備える。 - 特許庁

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