germanium transistorとは 意味・読み方・使い方

A silicon/germanium region is formed by implanting germanium ions into the source and drain regions of a polycrystalline silicon transistor.例文帳に追加

多結晶シリコントランジスタのソースおよびドレイン領域にゲルマニウムイオンを注入することにより、シリコンゲルマニウム領域を形成する。 - 特許庁

FORMING METHOD OF SILICON GERMANIUM BASE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのシリコン・ゲルマニウム・ベース形成方法 - 特許庁

FLOATING BODY GERMANIUM PHOTO TRANSISTOR WITH PHOTO ABSORPTION THRESHOLD BIAS REGION例文帳に追加

光吸収しきい値バイアス領域を有するフローティングボディゲルマニウムフォトトランジスタ - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING GERMANIUM NANO-ROD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

NON-PLANAR TRANSISTOR HAVING GERMANIUM CHANNEL REGION, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

ゲルマニウムチャンネル領域を有する非平面トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a non-planar transistor having a germanium channel region and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲルマニウムチャンネル領域を有する非平面トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GERMANIUM DOPED POLYSILICON GATE OF MOS TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING CMOS TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲルマニウムがドーピングされたポリシリコンゲートの形成方法及びこれを利用したＣＭＯＳトランジスタの形成方法 - 特許庁

To form a silicon layer or metal silicide layer over the source drain electrode of a PMIS transistor without causing lattice relaxation in a silicon germanium layer containing germanium of high concentration even when the silicon germanium layer is used for the source drain electrode.例文帳に追加

ＰＭＩＳトランジスタのソースドレイン電極に高濃度のゲルマニウムを含むシリコンゲルマニウム層を用いても、シリコンゲルマニウム層に格子緩和を生じさせることなく、ソースドレイン電極の上部にシリコン層又は金属シリサイド層を形成できるようにする。 - 特許庁