growing cracksとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for growing crystal which can control development of dislocation and cracks, and warpage of a substrate.例文帳に追加

転位およびクラックの発生、並びに、基板の反りを抑制することが可能な結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device for growing a crystal and a method thereof, recovering a crystal from a state of oxygen deficiency by annealing after growing the crystal and preventing cracks in the crystal in the process of producing a single crystal to be used as a substrate of an optical device or the like.例文帳に追加

光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。 - 特許庁

A single crystal free of cracks can be obtained with high reproducibility regardless of a large difference in thermal expansion between a platinum crucible and an LN (lithium niobate) single crystal in the process of growing an LN single crystal by VB (vertical Bridgeman) method, by employing a crucible structure of the present invention having a foil type platinum plate inserted inside the platinum crucible for growing a crystal.例文帳に追加

箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a substrate for growing semiconductor, wherein its cutting directions are so indicated distinctly as to facilitate the cutting of the substrate, and faults such as chipping and cracks are eliminated, and further, semiconductor devices can be manufactured efficiently, with respect to the substrate for growing semiconductor having threefold rotational symmetry.例文帳に追加

３回回転対称性を有する半導体成長用基板において、切断方向を明示し、基板の切断を容易化し、チッピングや割れなどの不具合が無く、半導体装置を効率的に製造することが出来る半導体成長用基板を提供する。 - 特許庁

Since the first polyimide layer 14A has strength which is higher than the second polyimide layer 14B, even if the second polyimide layer 14B cracks, the crack is prevented from growing in the first polyimide layer 14A.例文帳に追加

第１ポリイミド層１４Ａは、第２ポリイミド層１４Ｂよりも強度が高いため、第２ポリイミド層１４Ｂにクラックが発生した場合でも、クラックが第１ポリイミド層１４Ａ内を進展することが防がれる。 - 特許庁

To crystal-grow a thick nitride semiconductor layer on a multilayered structure layer without causing cracks by crystaly growing the multilayered structure layer as a buffer layer on a silicon substrate with good controllability.例文帳に追加

珪素基板の上に、バッファ層として多層構造層を制御性良く結晶成長させることにより、多層構造層の上に、クラックを生じることなく、窒化物半導体層を厚く結晶成長する。 - 特許庁

In order to obtain the gallium nitride (GaN) substrate free of cracks by reducing bending which may occur in a Gan layer growing process, a nitride embedding layer having a plurality of voids therein is embedded between the GaN layer and a base substrate.例文帳に追加

窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を得ることができるように窒化ガリウム層とベース基板の間に複数のボイド（ｖｏｉｄ）を有する窒化物挿入層を形成する。 - 特許庁

To provide a growth method of a GaN crystal capable of controlling the occurrence of cracks and growing a thick GaN crystal and a GaN crystal substrate.例文帳に追加

クラックの発生を抑制して厚いＧａＮ結晶を成長させることが可能なＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。 - 特許庁