hafnium nitrideとは 意味・読み方・使い方

In an element formation region RP, as heat treatment is performed under a temperature of about 700 to 900°C, aluminum (Al) in an aluminum (Al) film 7a diffuses into a hafnium oxide nitride (HfON) film 6, thereby aluminum (Al), as an element, is added to the hafnium oxide nitride (HfON) film 6.例文帳に追加

温度約７００〜９００℃のもとで施す熱処理に伴い、素子形成領域ＲＰでは、アルミニウム（Ａｌ）膜７ａ中のアルミニウム（Ａｌ）がハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６へ拡散することによって、ハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６に元素としてアルミニウム（Ａｌ）が添加される。 - 特許庁

The light-absorbing resin composition for laser welding comprises a polymer dispersing agent having a glass transition temperature of 30°C or higher and laser beam-absorbing particulates, wherein the laser beam-absorbing particulates are nitride particulates selected from titanium nitride, zirconium nitride, hafnium nitride, vanadium nitride, niobium nitride and tantalum nitride.例文帳に追加

３０℃以上のガラス転移温度を持つ高分子分散剤と、レーザー光吸収微粒子とを含有するレーザー溶着用光吸収樹脂組成物であって、レーザー光吸収微粒子が、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化バナジウム、窒化ニオブ、窒化タンタルから選択される窒化物微粒子である。 - 特許庁

The gate electrode 9a is constituted of a tantalum nitride film 6 formed directly on the gate insulating film 5 and a hafnium film 26 formed on the tantalum nitride film 6.例文帳に追加

ゲート電極９ａは、ゲート絶縁膜５上に直接形成された窒化タンタル膜６とこの窒化タンタル膜６上に形成されたハフニウム膜２６から形成される。 - 特許庁

Then a hafnium nitride silicate film 7 as a high-dielectric-constant film is formed over the entire surface, an aluminum-containing titanium nitride film 8 is formed, a polysilicon film 9 is formed, and the laminate film of them is processed into a gate electrode shape.例文帳に追加

次に、全面に高誘電率膜である窒化ハフニウムシリケイト膜７を形成し、アルミニウム含有窒化チタン膜８を形成し、ポリシリコン膜９を形成し、これらの積層膜をゲート電極形状に加工する。 - 特許庁

By using a hafnium nitride precursor and an aluminum precursor, the method is suited for depositing a High-k oxidation hafnium/aluminum oxide nanolaminate dielectric, used for a gate dielectric or a capacitor dielectric on a silicon surface which is subjected to hydrogen terminal treatment.例文帳に追加

窒化ハフニウムプリカーサおよびアルミニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるＨｉｇｈ−ｋ酸化ハフニウム／酸化アルミニウムナノラミネート誘電体を堆積することによく適している。 - 特許庁

The gate insulating film 11 has a high-dielectric- strength film 11a formed of a silicon-containing hafnium oxide film and a lower barrier film 11b formed of a silicon nitride oxide film which is formed below the high-dielectric-constant film 11a and contains hafnium.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１は、シリコン含有ハフニウムオキサイド膜よりなる高誘電率膜１１ａと、高誘電率膜１１ａの下側に形成されており、ハフニウムを含むシリコン窒化酸化膜よりなる下部バリア膜１１ｂとを有する。 - 特許庁

Exemplary ceramic materials include at least one oxide, nitride, boride, carbide and/or fluoride of hafnium, strontium, lanthanum oxide and/or dysprosium.例文帳に追加

例示的なセラミック材料は、ハフニウム、ストロンチウム、ランタン酸化物及び／又はジスプロシウムの酸化物、窒化物、ホウ化物、カーバイド及び／又はフッ化物の少なくとも１つを含みうる。 - 特許庁

A dielectric layer 21-1 is provided on the metal layer 19-1 and the dielectric layer 21-1 includes a silicon oxide film, a silicon nitride, a silicon oxynitride, a hafnium oxide, a tantalum oxide and the like.例文帳に追加

誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。 - 特許庁