in situ measurementとは 意味・読み方・使い方

To provide a warpage measurement system, a warpage measurement method and a film formation system for implementing a stable in-situ measurement.例文帳に追加

Ｉｎ−ｓｉｔｕで安定した測定を行うことのできる反り測定システム、反り測定方法、及び成膜システムを提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the ion dosages can be controlled using an in-situ measurement of plasma from mass distribution sensor combined with the in-situ measurement from a high frequency probe.例文帳に追加

一実施形態において、イオンドーズは、高周波プローブからの現場測定値と結合して質量分布センサからのプラズマの現場測定値を使用して制御することができる。 - 特許庁

A phase where the surface of the substrate is covered with an oxide film and a phase where a part of the surface of the substrate is exposed are distinguished through in-situ elipsometry measurement, and supply and stop of the gas which are suitable to the respective phases are performed.例文帳に追加

in-situ のエリプソメトリ測定により、酸化膜が基板面を覆っているphase と基板面の一部が露出しているphase とを識別し、各phase に適合したガスの供給，停止を行なう。 - 特許庁

Using measuring information (for example, critical dimensions (CD), layer thickness) provided ex-situ on the etch process combining with in-situ monitoring (for example, spectroscopic, interference measurement, scattering measurement, and reflectivity measurement) which is performed during the etch process, the etch process may be monitored.例文帳に追加

エッチング処理の間に実施されたインサイチューモニタリング（例えば、分光、干渉計測、散乱計測、反射率計測など）と組合せて、エッチング処理に対してエクスサイチューで提供された測定情報（例えば、限界寸法（ＣＤ）、層の厚さなど）を用いて、エッチング処理がモニタリングされても良い。 - 特許庁

To provide an improved method and instrument for in-situ/noncontact temperature measurement in a semiconductor process.例文帳に追加

半導体プロセスでの原位置・非接触温度測定のための改善された方法および装置を提供することである。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for performing in-situ measurement, on at least one of the characteristics of a liquid housed in a container.例文帳に追加

容器内に収容されている液体の少なくとも１つの特性を原位置で測定するための装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrochemical cell for XRD measurement capable of accurately measuring an electrode mixture layer in in-situ XRD.例文帳に追加

電極の合剤層を正確にインサイチュＸＲＤ測定可能なＸＲＤ測定用電気化学セルを提供する。 - 特許庁

CORRECTION FOR WAFER TEMPERATURE DRIFT IN PLASMA REACTOR BASED ON CONTINUOUS WAFER TEMPERATURE MEASUREMENT USING IN-SITU WAFER TEMPERATURE OPTICAL PROBE例文帳に追加

原位置ウェーハ温度光プローブを用いた連続ウェーハ温度計測に基づくプラズマ・リアクタにおけるウェーハ温度ドリフトの修正 - 特許庁