interbandとは 意味・読み方・使い方

To selectively suppress the occurrence of interband tunnels using a simple convenient method, when a MOS transistor is scaled down.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタが微細化した場合に、バンド間トンネルを簡便な方法で選択的に抑制できるようにする。 - 特許庁

An electron in a high-energy Bloch wave state in a crystal makes a transition to one of lower energy with the simultaneous emission of a quantum of radiation. This necessitates an interband transition of the fast electron.発音を聞く 例文帳に追加

結晶中の高エネルギーのブロッホ波状態にある電子は、放射量子の同時放出によって低エネルギーのブロッホ状態にある電子に遷移する。この過程は、高速電子のバンド内遷移を必要とする。 - 科学技術論文動詞集

The at least one laser device (104) is one of a quantum cascade laser, a tunable diode laser, a vertical resonance type surface emitting laser and an interband cascade laser.例文帳に追加

また、前記少なくとも１つのレーザー装置（１０４）は、量子カスケードレーザー、チューナブルダイオードレーザー、垂直共振型面発光レーザー及びバンド間カスケードレーザーのうちの１つである。 - 特許庁

Thereby, in comparison with a writing method using conventional interband hot-electron injection, writing efficiency is improved, and achieved in large capacity by the three-dimensional structure and a multiple-stage laminating structure.例文帳に追加

これにより従来のバンド間ホットエレクトロン注入を用いた書き込み方式に比べ書き込み効率が向上し、３次元化、多段積層化により大容量化を実現する。 - 特許庁

To provide a method for erasing a nonvolatile TFT memory at low voltage by making it possible to erase it through interband tunneling by controlling a body electric potential.例文帳に追加

不揮発性ＴＦＴメモリにおいて、ボディの電位を制御することによってバンド間トンネリングによる消去を可能にし、低電圧で消去する方法を提供する。 - 特許庁

This multiband superconductor having the domain structure with the thin domain wall is provided by making a potential fluctuated at a period of 2π of an interband phase difference compete with a potential fluctuated at a period of π or less, and by generating thereby breakage of time symmetry in the multiband superconductor.例文帳に追加

バンド間位相差の２πの周期で変動するポテンシャルと、π以下で変動するポテンシャルを拮抗せしめ、それによって、多バンド超伝導体の中に、時間対称性の破れを生じさせ、ドメイン壁の薄いドメイン構造を有する多バンド超伝導体を実現する。 - 特許庁

The memory cell of the nonvolatile semiconductor memory is formed into a three-dimensional structure, and hot electrons caused by interband tunneling are generated near a drain, and further, the hot electrons are so injected into a charge accumulating layer disposed at a large solid angle with respect to to the end of its drain by the three-dimensional structure as to perform data writing.例文帳に追加

メモリセルを３次元構造化し、ドレイン付近にバンド間トンネリングによるホットエレクトロンを発生させ、このホットエレクトロンを３次元化によりドレイン端に対して大きな立体角で配置される電荷蓄積層に注入してビットデータの書き込みを行う。 - 特許庁