interstitial concentrationとは 意味・読み方・使い方

This analysis device for estimating whole blood analyte concentration of a patient on the basis of interstitial fluid (ISF) analyte concentration of the patient includes an ISF sampling module, an analysis module, and an estimation module.例文帳に追加

患者の間質液（ＩＳＦ）分析物濃度に基づいて患者の全血分析物濃度を推定するための分析装置であって、ＩＳＦサンプリングモジュールと、分析モジュールと、推定モジュールとを含む。 - 特許庁

These apparatus and the method are particularly suitable for determining a glucose concentration in the sample or specially the glucose concentration in a blood, a blood fraction or an interstitial fluid.例文帳に追加

これらの装置および方法は特に生理学的サンプルを収集して当該サンプル中のグルコース濃度、とりわけ、血液、血液フラクションまたは間質液中のグルコース濃度を決定するために適している。 - 特許庁

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate and a semiconductor device, with which slippage can be persistently prevented during the manufacturing process of a semiconductor device, even in a semiconductor substrate having low interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

格子間酸素濃度が低い半導体基板であっても，半導体デバイスの製造過程でスリップの抑制を持続的に図ることが可能な半導体基板および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A silicon wafer sliced from the silicon ingot 20 is annealed in an oxygen atmosphere according to an interstitial oxygen concentration so as to extinguish crystal originated particles (COP).例文帳に追加

シリコンインゴット２０から切り出されたシリコンウェーハに対し、格子間酸素密度に応じた酸素雰囲気中アニールを行うことによってＣＯＰを消滅させる。 - 特許庁

A silicon substrate 10 to be used for sticking is a single crystal Si substrate with an interstitial oxygen concentration measured by an infrared absorption method of 1×10^18 cm^-3 or less.例文帳に追加

貼り合わせ用に用いるシリコン基板１０は、赤外吸収法で測定された格子間酸素濃度が１×１０^１８ｃｍ^−３以下の単結晶Ｓｉ基板である。 - 特許庁

A strip-like microneedle device is provided that includes an array of hollow microneedles, a diaphragm pump to extract interstitial fluid from skin, and a sensor that detects the concentration of the fluid.例文帳に追加

中空の微小針アレイと、皮膚から間質液を抽出するダイヤフラムポンプと、流体濃度を検出するセンサとを包含するストリップ様微小針装置が提供される。 - 特許庁

To provide a laminated dielectric isolation wafer which is capable of protecting a support substrate wafer against warpage caused by interstitial oxygen concentration or OSF density and restrained from warping more after devices are formed and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

格子間酸素濃度またはＯＳＦ密度に起因した支持基板用ウェーハの反りの発生を防止し、デバイス形成後に反りが増大しない貼り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁