lift on, lift offとは 意味・読み方・使い方

Preferably, the controller 2 continuously executes the lift operation, when the lift switches 8 and 9 are turned off after issuing the second alarm and, when the lift switches 8 and 9 automatically executing the lift operation are put on again, controls to stop the lift operation.例文帳に追加

なお、コントローラ２は、第２の警告を発した後にリフトスイッチ８，９がオフ状態となってもリフト動作を実行し続け、リフト動作の自動実行中にリフトスイッチ８，９が再びオン状態となったときはリフト動作を停止する制御を行うものであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a waist support for a reach type fork lift capable of enhancing the easiness in getting on and off the fork lift and assuring good effectiveness of handling.例文帳に追加

リーチ式フォークリフトに対する乗降性を向上させることができ、使い勝手が良好であるウェストサポートを提供すること。 - 特許庁

To prevent a sapphire substrate from completely peeling off a GaN layer after laser lift-off in a laser lift-off apparatus even if a work temperature somewhat rises, in laser lift-off processing for peeling off a GaN-based compound crystal layer formed on a surface of the sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板の表面に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を剥離するためのレーザリフトオフ処理において、ワークの温度が多少上昇したとしても、レーザリフトオフ装置内で、レーザリフトオフ後のサファイア基板がＧａＮ層から、完全に剥がれてしまうことがないようにすること。 - 特許庁

A cathode electrode 22 is formed on the uppermost n-type semiconductor layer 30 through a lift-off method.例文帳に追加

最上層のｎ形半導体層３０上に、リフトオフ法により、カソード電極２２を形成する。 - 特許庁

A gate electrode is formed on the exposed part of the p-type semiconductor layer 18 through a lift-off method.例文帳に追加

露出したｐ形半導体層１８上に、リフトオフ法により、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

To provide pattern forming method wherein a thin film on a lift-off pattern formed of a resist film is removed by ion milling to improve the permeability of the lift-off liquid and apply the lift-off patterning.例文帳に追加

本発明は、リフトオフによるパターン形成方法に関し、より詳細にはレジスト膜で形成したリフトオフパターン上の薄膜をイオンミーリングで除去し、リフトオフ液の浸透性を良くしてリフトオフパターニングを行なうパターン形成方法に関する。 - 特許庁

Then, in the steps S70 and S80, the lift-off value is determined from the lift-off characteristics using any of the signal values of the X component or Y component generated when the eddy current probe is adhered on the inspection surface, lift-off characteristics, maximum signal value V0 and signal value V1 at the time of setting.例文帳に追加

そして、ステップＳ７０，Ｓ８０にて、渦電流プローブを検査面に密着させる際に発生する検出のＸ成分又はＹ成分の信号値とリフトオフの特性と最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１のいずれかを用いて、リフトオフ特性からリフトオフ値を求める。 - 特許庁

A high-quality and high-efficiency light-emitting diode can be manufactured by forming an LLO (Laser Lift-Off) layer and an epitaxial layer on a nitride semiconductor substrate and separating the nitride semiconductor substrate via the LLO layer.例文帳に追加

窒化物半導体基板にＬＬＯ層とエピ層を形成し、レーザリフトオフ(Laser Lift-Off)を通じて窒化物半導体基板を分離することにより、エピ層の特性を向上させて高品位、高効率の発光ダイオードを製造することができる。 - 特許庁