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lioとは 意味・読み方・使い方
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「lio」を含む例文一覧
該当件数 : 22件
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND LIO DIVIDING METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置、およびＬＩＯ分割方法 - 特許庁
In a sense amplifier, local input/output lines LIO, /LIO are kept at the prescribed voltage by transistors QV1 and QV2.例文帳に追加
センスアンプにおいて、トランジスタＱＶ１およびＱＶ２でローカル入出力線ＬＩＯ，／ＬＩＯを所定電圧に維持する。 - 特許庁
The line pairs LIO are divided into plural line pairs at every memory sub-block 26.例文帳に追加
ローカル入出力線対ＬＩＯはメモリサブブロック２６ごとに複数に分割される。 - 特許庁
To one local input-output line pair LIO, a plurality of bit line pairs is commonly connected.例文帳に追加
１つのローカル入出力線対ＬＩＯには複数のビット線対が共通に接続される。 - 特許庁
Even if the wiring length of the input/output line becomes longer and resistance and capacitance become larger or the amplitude of the input/output lines LIO and /LIO becomes smaller, stable and speedy writing operation of storage data is enabled.例文帳に追加
入出力線の配線長が長くなり抵抗値や容量値が大きくなった場合や入出力線ＬＩＯ、／ＬＩＯの振幅が小さくなった場合でも、安定して記憶データの高速な書込動作が可能となる。 - 特許庁
By changing a connection from a sense amplifier to a local IO (LIO) and a connection from the LIO to a main IO (MIO), the semiconductor memory device, which can change the page size by the aluminum master slice method, is obtained.例文帳に追加
センスアンプからローカルアイオー（ＬＩＯ）の接続、ＬＩＯからメインアイオー（ＭＩＯ）の接続を変更することで、アルミマスタースライス方式によるページサイズ変更可能な半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁
Since column selection gate 27 passes through only a [L] level signal, when the selected plurality of memory cells MC include a defective memory cell MC, local IO lines LIO, /LIO are both made to a [L] level.例文帳に追加
列選択ゲート２７は「Ｌ」レベルの信号のみを通過させるので、選択した複数のメモリセルＭＣが不良メモリセルＭＣを含む場合はローカルＩＯ線ＬＩＯ，／ＬＩＯがともに「Ｌ」レベルになる。 - 特許庁
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「lio」を含む例文一覧
該当件数 : 22件
To reduce the current consumption, the number of elements and the area of a transfer gate provided between a main input-output line MIO and a local input-output line LIO.例文帳に追加
メイン入出力線MIOとローカル入出力線LIOとの間に設けられたトランスファーゲートの消費電流、素子数および面積を低減する。 - 特許庁
The data path 300 includes a local input/output (LIO) line 316 and a global input/output (GIO) line 350.例文帳に追加
データ経路３００はローカル入出力（ＬＩＯ）ライン３１６およびグローバル入出力（ＧＩＯ）ライン３５０を含む。 - 特許庁
LYSW 20_1 to 20_4 perform connection control between bit lines (BLT/BLB) and local I/O lines (LIO).例文帳に追加
ＬＹＳＷ２０_1〜２０_4は、ビット線（ＢＬＴ／ＢＬＢ）とローカルＩ／Ｏ線（ＬＩＯ）との間を接続制御を行っている。 - 特許庁
In this DRAM, a sub amplifier SAP is provided at a crossing point between a global input/output line pair GIO and a local input/output line pair LIO.例文帳に追加
このＤＲＡＭでは、グローバル入出力線対ＧＩＯとローカル入出力線対ＬＩＯとの交点にサブアンプＳＡＰを設ける。 - 特許庁
A dummy bit line sense amplifier area DUMMY BL S/A which is capable of dividing local input/output lines LIO and LIOB is provided in a bit line sense amplifier area 24 to enable to divide the local input/output lines LIO and LIOB by the bit line sense amplifier area 24.例文帳に追加
ローカル入出力ラインＬＩＯ，ＬＩＯＢを分割できるダミービットラインセンス増幅器領域ＤＵＭＭＹ ＢＬ Ｓ／Ａをビットラインセンス増幅器領域２４に設けて、ビットラインセンス増幅器領域２４でローカル入出力ラインＬＩＯ，ＬＩＯＢを分割できるようにする。 - 特許庁
The sub-amplifier region provided with a plurality of sub-amplifiers connected to sense amplifier sets arranged at divided two memory regions through LIO and a sub-amplifier control circuit controlling these sub-amplifiers.例文帳に追加
サブアンプ領域は、分割された２つのメモリ領域に配置されたセンスアンプセットにＬＩＯを介して接続された複数のサブアンプと、これらサブアンプを制御するサブアンプ制御回路とを備えている。 - 特許庁
Further, after that, when writing is performed, writing is performed in the sense amplifier SA from signal lines LIO, RIO being I/O lines, writing is not performed for the memory cell.例文帳に追加
さらにその後、ライトを行う場合は、Ｉ／Ｏ線である信号線ＬＩＯ、ＲＩＯからセンスアンプＳＡに書き込みが行われ、メモリセルには書き込みを行わない。 - 特許庁
During a circuit state in which the transistor Q10 is not utilized, first and second voltage levels that are close to the second logic level are supplied to the output node NS and the local input/output line LIO.例文帳に追加
トランジスタＱ１０を利用しない回路状態時に、第２の論理レベルに近い第１及び第２の電圧レベルが出力ノードＮＳ及びローカル入出力線ＬＩＯに供給される。 - 特許庁
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