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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和専門語辞典 > metal film resistorsの意味・解説 

metal film resistorsとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 金属被膜抵抗


クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「metal film resistors」の意味

metal film resistors


「metal film resistors」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6



例文

All the eight compact thermosensitive resistors 11-n and eight compact reference resistors 12-n are made of the same type of metal in the same shape in the same film thickness.例文帳に追加

8個の小型感熱抵抗体11−nと8個の小型基準抵抗体12−nは全て同種の金属で同一形状同一膜厚に形成される。 - 特許庁

Surface of the substrate 2 is coated by insulating material 8, after arranging the thin-film metal temperature sensing resistors 3 and 5 as well as the thin-film metal heater 4.例文帳に追加

基材2の表面は、薄膜金属測温抵抗体3、5及び薄膜金属ヒータ4を配置した後、絶縁材料8でコーティングされている。 - 特許庁

A process of driving a word line 205 in a memory array may include a word line driver 200 incorporating a particular combination of complementary metal oxide film semiconductor (CMOS) transistors and one or more resistors.例文帳に追加

メモリアレイ内ワード線205を駆動する処理は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタと、一以上の抵抗とからなる特定の組み合わせを組み込むワード線ドライバ200を含んでもよい。 - 特許庁

For example, a pull-down process may be performed using one or more N-channel metal oxide film semiconductor field-effect (NMOS) transistors 220, 222, 224 while a pull-up process may be performed using one or more resistors 210.例文帳に追加

例えば、プルダウン処理は、一以上のNチャンネル金属酸化膜半導体電界効果(NMOS)トランジスタ220,222,224を用いて実行してもよく、一方、プルアップ処理は、一以上の抵抗210を用いて実行してもよい。 - 特許庁

The thermal head comprises a plurality of heating resistors generating heat upon conduction, an insulating barrier layer covering each heating resistor entirely, and an electrode layer conducting to the opposite ends of each heating resistor in the longitudinal direction thereof wherein a metal film for transmitting heat generated from the heating resistor is provided on the insulating barrier layer without touching the electrode layer.例文帳に追加

通電により発熱する複数の発熱抵抗体と、各発熱抵抗体を全面的に覆う絶縁バリア層と、各発熱抵抗体の抵抗長方向の両端部に導通する電極層とを備えたサーマルヘッドにおいて、絶縁バリア層の上に、発熱抵抗体が発生した熱を一様に伝える伝熱金属膜を電極層とは非接触で設ける。 - 特許庁

例文

Thin film resistors 3, connecting pads 4, wiring 10 including underlying metal layers 9, pillar-shaped electrodes 11, and solder balls 13 are collectively formed in a region where a plurality of network electronic components are formed on the silicon substrate 1 in a wafer state, and then the plurality of network electronic components are obtained by dividing along dicing streets 23.例文帳に追加

ウエハ状態のシリコン基板1上の複数のネットワーク電子部品形成領域に対して、薄膜抵抗体3、接続パッド4、下地金属層9を含む配線10、柱状電極11および半田ボール13の形成を一括して行ない、その後にダイシングストリート23に沿って分断して複数個のネットワーク電子部品を得る。 - 特許庁

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