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日英・英日専門用語辞書での「metal insulator silicon device」の意味

metal insulator silicon device


「metal insulator silicon device」の部分一致の例文検索結果

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例文

METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED IN SILICON-ON-INSULATOR例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ内に形成された金属酸化膜半導体デバイス - 特許庁

The selection device may be implemented in silicon-on-insulator (SOI) complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology.例文帳に追加

選択デバイスは、シリコン−オン−絶縁物(SOI)相補型金属酸化物半導体(CMOS)技術で実装される。 - 特許庁

To provide a gettering layer and to inhibit a contamination on metal films in a semiconductor device of an SOI(Silicon-On-Insulator) structure.例文帳に追加

SOI構造の半導体装置において、ゲッタリング層を設け、金属汚染を抑えること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same having a high output resistance while maintaining a high mutual conductance by downscaling of an MIS (metal insulator semiconductor) type field effect transistor without employing an SOI (silicon on insulator) substrate.例文帳に追加

SOI基板を用いることなく、MIS型電界効果トランジスタの微細化により高い相互コンダクタンスを維持しながら、出力抵抗の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The display device includes: a silicone oxide film 13 and a silicon nitride film 14 that become base films formed on an insulating substrate 11; a polycrystalline silicon electrode 18 formed on the base film; a gate insulator 16 formed on the polycrystalline silicon electrode 18; and a gate metal electrode 17 formed at a position opposite to the polycrystalline silicon electrode 18 on the gate insulator 16.例文帳に追加

本発明にかかる表示装置は、絶縁基板11上に形成された下地膜となるシリコン酸化膜13及びシリコン窒化膜14と、この下地膜上に形成された多結晶シリコン電極18と、多結晶シリコン電極18上に形成されたゲート絶縁膜16と、ゲート絶縁膜16上に多結晶シリコン電極18と対向する位置に形成されたゲートメタル電極17とを有している。 - 特許庁

To provide a device constituted of thickness of the silicon layer of a bipolar part or a metal insulator semiconductor field effect transistor MISFET part of the thickness suitable for the device structure, and to provide a flat device structure having no difference in level in the boundary area, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

バイポーラ部分あるいはMISFET部分のシリコン層の厚さをそのデバイス構造に適した厚さで構成しつつ、その境界領域での段差のない平坦なデバイス構造および製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide an SOI (silicon on insulator) wafer preventing heavy metal pollution, a manufacturing method of the SOI wafer, and a manufacturing method of a semiconductor device using the SOI wafer.例文帳に追加

重金属汚染を防止できるSOIウェハとその製造方法およびそのSOIウェハを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

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「metal insulator silicon device」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

To provide a semiconductor substrate provided with an SOI (silicon on insulator) layer and a BOX layer having a film thickness optimum to respective digital circuit and analog circuit or a high breakdown voltage MOS (metal oxide semiconductor) transistor, a semiconductor device, and the manufacturing method of such a semiconductor device.例文帳に追加

デジタル回路およびアナログ回路または高耐圧MOSトランジスタのそれぞれに適切な膜厚のSOI層およびBOX層を備えた半導体基板、半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a p-type MISFET (metal insulator semiconductor field effect transistor) and an n-type MISFET having respectively the optimal gate insulating film and gate electrode while not generating poly silicon film residue which becomes the cause of failure.例文帳に追加

それぞれが最適なゲート絶縁膜及びゲート電極を有するp型MISFET及びn型MISFETを備え且つ不良の原因となるポリシリコン膜残渣が発生することがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

例文

In a method of manufacturing a semiconductor device having a CMIS FET, a first metallic film made of a silicon film and a first metal is first subjected to heat treatment for reaction to thereby form a gate electrode 31b of a p-channel type MIS (Metal Insulator Semiconductor) FET made of metal silicide and a dummy gate electrode 32 of an n-channel type MIS FET.例文帳に追加

CMISFETを有する半導体装置を製造方法する際に、まず、シリコン膜と第1金属からなる第1金属膜を熱処理により反応させることで、金属シリサイドからなるpチャネル型MISFETのゲート電極31bとnチャネル型MISFETのダミーゲート電極32を形成する。 - 特許庁

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