metal nitride oxide semiconductor memoryとは 意味・読み方・使い方

To provide an MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor) type nonvolatile semiconductor memory device of a source side injection (SSI) method, in which a memory cell structure is simplified for easy manufacturing and the number of voltages applied at operation is reduced for easy control.例文帳に追加

ソースサイド注入（ＳＳＩ）方式のＭＯＮＯＳ（Metal-Oxide-Nitride-Oxide Semiconductor）型不揮発性半導体メモリ装置において、メモリセル構造を単純化して製造を容易にし、更に、動作時に印加する電圧の数を減らして制御を容易にする。 - 特許庁

To provide a technology capable of improving data holding characteristics in a nonvolatile semiconductor memory having a MONOS (Metal-oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type memory cell, in which an electric charge accumulating layer is formed of a nitride film.例文帳に追加

窒化膜を電荷蓄積層としたＭＯＮＯＳ型メモリセルを有する不揮発性半導体メモリにおいて、データ保持特性を向上することができる技術を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device has a double layer structure having a third insulation film selected from aluminum oxide or silicon nitride as an inter-poly insulation film between a floating gate electrode and a control gate, and a fourth insulation film selected from a rare earth metal oxide or a group IV-A metal oxide formed on the third insulation film in a non-volatile semiconductor device.例文帳に追加

不揮発性半導体装置における浮遊ゲート電極と制御ゲート電極間のインターポリ絶縁膜として、酸化アルミニウム及びシリコン窒化膜から選ばれる第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に形成された希土類金属の酸化物及び４Ａ族金属の酸化物から選ばれる第４の絶縁膜との二層構造を用いる半導体メモリ装置。 - 特許庁

Additionally, the nonvolatile semiconductor memory device employs, for the charge storage layer of the memory cell transistor, a silicon oxide film 17, a silicon nitride film 18, the laminate structure 19 of a silicon oxide film, or an insulating layer involving a nanocrystal of silicon, metal, and other conductive substances, instead of such a floating gate as in prior art.例文帳に追加

さらに，本発明の不揮発性半導体記憶装置においては，メモリセルトランジスタの電荷蓄積層には，従来のような浮遊ゲートの替わりに，酸化珪素膜，窒化珪素膜，酸化珪素膜の積層構造，又はシリコン，金属その他の導電性物質のナノ結晶を含有する絶縁層を用いている。 - 特許庁