metal nitride oxide semiconductor transistorとは 意味・読み方・使い方

To obtain a surface channel type MOS (metal oxide semiconductor) transistor that prevents a B punch-through, applies a normal oxide film and a nitride oxide film with a low concentration of nitrogen due to N_2O as a gate insulating film at a desired film thickness, becomes unnecessary to use a gate insulating film with a number of electronic traps, and has excellent characteristics.例文帳に追加

Ｂ突き抜けが防止され、ゲート絶縁膜として通常の酸化膜やＮ_２Ｏによる低窒素濃度の窒化酸化膜等を所望の膜厚で適用でき、電子トラップの多いゲート絶縁膜を用いる必要が無くなり、良好な特性を有する表面チャネル型ＭＯＳトランジスタを得ること - 特許庁

Additionally, the nonvolatile semiconductor memory device employs, for the charge storage layer of the memory cell transistor, a silicon oxide film 17, a silicon nitride film 18, the laminate structure 19 of a silicon oxide film, or an insulating layer involving a nanocrystal of silicon, metal, and other conductive substances, instead of such a floating gate as in prior art.例文帳に追加

さらに，本発明の不揮発性半導体記憶装置においては，メモリセルトランジスタの電荷蓄積層には，従来のような浮遊ゲートの替わりに，酸化珪素膜，窒化珪素膜，酸化珪素膜の積層構造，又はシリコン，金属その他の導電性物質のナノ結晶を含有する絶縁層を用いている。 - 特許庁

The organic thin film transistor comprises source and drain electrodes provided on a support, an organic semiconductor layer formed in contact with these electrode, a gate insulation layer formed in contact with the organic semiconductor layer, and a gate electrode formed on the gate insulation layer wherein the gate insulation layer is composed of a metal oxide or a nitride and an organic thin film layer is formed between the gate insulation layer and the organic semiconductor layer.例文帳に追加

支持体上に付設されたソース、ドレイン電極、該電極に接して形成された有機半導体層、該有機半導体層に接して形成されたゲート絶縁層及びゲート絶縁層上に形成されたゲート電極からなる有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層が金属酸化物或いは窒化物からなり、該ゲート絶縁層と有機半導体層の間に有機薄膜層が形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁