metal-oxide semiconductor transistor MOSとは 意味・読み方・使い方

Thus, the size of a N-channel MOS (metal oxide semiconductor) transistor 8 of the memory cell MC is reduced, and the layout area is reduced.例文帳に追加

よって、メモリセルＭＣのＮチャネルＭＯＳトランジスタ８のサイズを小さくすることができ、レイアウト面積が小さくて済む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving the characteristics of a MOS transistor using an insulating metal oxide film for a gate insulating film, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁性金属酸化膜をゲート絶縁膜に使用したMOSトランジスタの特性を向上させることができる半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device including the metal oxide semiconductor (MOS) transistor in the substrate of a semiconductor chip (1), a bump (6a) is formed on the upper part of the MOS transistor (2) whose current capability and threshold value differ from prescribed values, and the bump (6a) is formed on the substrate.例文帳に追加

半導体チップ(1)基板内に金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ(2)を含む半導体装置であって、電流能力及びしきい値電圧が所定値と異なるＭＯＳトランジスタ(2)の上部に、バンプ(6a)を形成し、前記バンプ(6a)を基板に固定する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 20 wherein an active area 22 is set, a metal oxide semiconductor (MOS) type field effect transistor is formed in a transistor forming area 24 set to the active area.例文帳に追加

アクティブ領域２２が設定されている半導体基板２０の、アクティブ領域に設定されたトランジスタ形成領域２４にＭＯＳ型電界効果トランジスタが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor and the manufacturing method of the same capable of optimally compatible with both of the suppression of operation of a parasitic bipolar transistor, and of the reduction of on-resistance of a double diffused MOS (metal oxide semiconductor) transistor.例文帳に追加

寄生バイポーラトランジスタの動作の抑制と二重拡散型ＭＯＳトランジスタのオン抵抗の低減とを好適に両立することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a MOS-PHEMT (Metal Oxide Semiconductor Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) suitable for use as a semiconductor device such as an SPDT switch of an MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit), and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＭＭＩＣのＳＰＤＴスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したＭＯＳ−ＰＨＥＭＴの構造及びその製造方法を開示する。 - 特許庁

In the charge/discharge control circuit, a constant current circuit serving as an intermediate terminal disconnection detection circuit is provided to a terminal to which secondary batteries are connected, and includes a depletion type metal oxide semiconductor (MOS) transistor and a resistor connected between a gate terminal and a source terminal of the depletion type MOS transistor.例文帳に追加

充放電制御回路の２次電池が接続される端子に設けられた中間端子はずれ検出回路の定電流回路を、デプレッション型ＭＯＳトランジスタと、デプレッション型ＭＯＳトランジスタのゲート端子とソース端子間に接続した抵抗とで構成する。 - 特許庁

In the semiconductor device having the ferroelectric capacitor 102, a tungsten layer 30 connected to an MOS (metal oxide semiconductor) transistor 20 is formed through the method of selective growth.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ１０２を有する半導体装置において、ＭＯＳトランジスタ２０に接続されたタングステン層３０を選択的成長法により形成する。 - 特許庁