mps-4とは 意味・読み方・使い方

When the texture is formed only on the light-receiving surface MPS side, the thickness of rear-surface side silicon nitride film 4 is 100 nm-300 nm.例文帳に追加

また、受光面ＭＰＳ側にのみテクスチャ形成される場合、裏面側の窒化シリコン膜４の膜厚を１００ｎｍ〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

Also, when texture formation is made only at the side of the light reception surface MPS, the film thickness of the silicon nitride film 4 at the rear surface side is set to 100 nm-300 nm.例文帳に追加

また、受光面ＭＰＳ側にのみテクスチャ形成される場合、裏面側の窒化シリコン膜４の膜厚を１００ｎｍ〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

Furthermore, when the texture is formed both on the rear surface MPP and on the light-receiving surface MPS, the thickness of rear-surface side silicon nitride film 4 is set to 40 nm-230 nm.例文帳に追加

さらに、裏面ＭＰＰと受光面ＭＰＳとのいずれにもテクスチャ形成される場合、裏面側の窒化シリコン膜４の膜厚を４０ｎｍ〜２３０ｎｍとする。 - 特許庁

Further, when texture formation is made on both the rear surface MPP and the light reception surface MPS, the film thickness of the silicon nitride film 4 at the rear surface side is set to 40 nm-230 nm.例文帳に追加

さらに、裏面ＭＰＰと受光面ＭＰＳとのいずれにもテクスチャ形成される場合、裏面側の窒化シリコン膜４の膜厚を４０ｎｍ〜２３０ｎｍとする。 - 特許庁

When no texture mainly composed of {111} face is formed on both the reverse surface MPP and the light reception surface MPS of the silicon single crystal substrate 3 in the rear surface structure of the solar battery 1, the film thickness of the silicon nitride film 4 at the rear surface side is set to 40 nm-220 nm.例文帳に追加

太陽電池１の裏面構造において、シリコン単結晶基板３の裏面ＭＰＰと受光面ＭＰＳとのいずれにも｛１１１｝面を主体とするテクスチャが形成されていない場合、裏面側の窒化シリコン膜４の膜厚を４０ｎｍ〜２２０ｎｍとする。 - 特許庁

In rear surface structure of solar cell 1, when a texture composed mainly of {111} surface is formed neither on a rear surface MPP nor on a light-receiving surface MPS of silicon single-crystal substrate 3, thickness of rear-surface side silicon nitride film 4 is 40 nm-220 nm.例文帳に追加

太陽電池１の裏面構造において、シリコン単結晶基板３の裏面ＭＰＰと受光面ＭＰＳとのいずれにも｛１１１｝面を主体とするテクスチャが形成されていない場合、裏面側の窒化シリコン膜４の膜厚を４０ｎｍ〜２２０ｎｍとする。 - 特許庁

A composite machine 1 for reading double side images of the original Gn by an ADF 4 for executing switch-back carrying for the original Gn discards an MCF signal returned from a reception terminal in response to an MPS signal which the composite machine 1 transmits to the reception terminal of a transmission opposite party after fax-transmitting a read image to the reception terminal only one or twice.例文帳に追加

ＡＤＦ４において原稿Ｇｎをスイッチバック搬送することにより原稿Ｇｎの両面画像を読み取る複合機１において、読取画像を送信相手の受信端末にファクシミリ送信した後に送出されるＭＰＳ信号に応答して受信端末から返信されたＭＣＦ信号をＮＣＵ１１８へ転送せずに１回または２回だけ破棄する。 - 特許庁