n‐channel MOS deviceの英語

A resistor R1, an N channel MOS transistor Tr2, and a P channel MOS transistor Tr3 are connected with the output signal line 11 of a semiconductor integrated device (device) IC1 incorporating an output circuit comprising an N channel MOS transistor Tr1 and constitute a pull-up circuit together with resistors R2, R3 and R4.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタTr1からなる出力回路を内蔵する半導体集積装置（デバイス）IC1の出力信号線１１に抵抗R1、ＮチャネルＭＯＳトランジスタTr2、ＰチャネルＭＯＳトランジスタTr3を接続し、抵抗R2,R3,R4とともにプルアップ回路を構成する。 - 特許庁

N-channel type and p-channel type MOS transistors are formed on a silicon substrate 11 to constitute the CMOS device.例文帳に追加

シリコン基板１１にｎチャネル型とｐチャネル型のＭＯＳトランジスタが形成され、ＣＭＯＳデバイスが構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of applying a universal tensile distortion not depending on a size of a transistor, to a n-channel type MOS transistor.例文帳に追加

トランジスタのサイズによらない普遍的な引っ張り歪みをｎチャネル型ＭＯＳトランジスタに印加できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

By forming an N-channel MOS device 114 and a P-channel MOS device 116 in the GaAs well 106 and the Ge well 110, respectively, an integrated circuit is formed by interconnection.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳ装置１１４及びＰチャンネルＭＯＳ装置１１６を夫々ＧａＡｓウエル１０６及びＧｅウエル１１０内に形成し、相互接続して集積回路を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured wherein a p-channel MOS transistor 1, an n-channel MOS transistor 2, and a photodiode 3 are provided on a semiconductor substrate 7.例文帳に追加

半導体基板７上に、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２、フォトダイオード３が設けられた半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein an n-channel MOS transistor of low leakage current and low threshold voltage and a p-channel MOS transistor are formed on one substrate.例文帳に追加

低リーク電流及び低閾値電圧のｎチャネルＭＯＳトランジスタとｐチャネルＭＯＳトランジスタとが一の基板に形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device, capable of operating at a voltage higher than the drain breakdown voltages of both a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor.例文帳に追加

ＰチャネルＭＯＳトランジスタ及びＮチャネルＭＯＳトランジスタの両方のドレイン耐圧より高い電圧で動作可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

By combining this n-channel type MOS transistor and a p-channel type MOS transistor having a compressive distortion in a channel region, a complementary high performance semiconductor device can be constituted.例文帳に追加

チャネル領域に圧縮歪を有するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタと組み合わせることにより、相補型の高性能半導体装置を構成できる。 - 特許庁