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n-type dopedとは 意味・読み方・使い方
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「n-type doped」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 312件
A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加
高濃度のN+型の半導体基板2上に、低濃度のN−形の半導体層3を形成する。 - 特許庁
A semiconductor substrate 1 is composed of a heavily-doped n-type layer 2 and a lightly-doped n-type layer 3 on it.例文帳に追加
半導体基板1は高濃度n型層2とその上の低濃度n型層3からなる。 - 特許庁
Ge-DOPED N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
Geドープn型III族窒化物半導体 - 特許庁
The semiconductor layer 3 is doped into an n-type.例文帳に追加
半導体層3は、n型にドーピングされている。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF P-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND P-DOPED N TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加
Pドープシリコン単結晶の製造方法及びPドープN型シリコン単結晶ウェーハ - 特許庁
A heavily doped n type epitaxial layer 2 and a lightly doped n type epitaxial layer 3 are formed sequentially on a p type silicon substrate 1.例文帳に追加
p型シリコン基板1上に、高濃度n型エピタキシャル層2および低濃度n型エピタキシャル層3をこの順に形成した。 - 特許庁
An n-type lightly doped drift layer 11 is provided so as to cover an n-type heavily doped drain layer 41 from an internal section side of a p-type silicon substrate 100, and an n-type lightly doped drift layer 12 is provided so as to cover an n-type heavily doped source layer 42 likewise.例文帳に追加
N型高濃度ドレイン層41にP型シリコン基板100の内部側から被さるようにN型低濃度ドリフト層11が設けられており、同様にN型高濃度ソース層42に対してN型低濃度ドリフト層12が設けられている。 - 特許庁
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「n-type doped」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 312件
The electrically erasable programmable logic device 20 comprises a p-type substrate 22, a first n-type doped region 24, a first gate 26, a second n-type doped region 28, a second gate 30 and a third n-type doped region 32.例文帳に追加
電気的消去可能プログラマブルロジックデバイス20はP型基板22と、第一N型ドープ領域24と、第一ゲート26と、第二N型ドープ領域28と、第二ゲート30と、第三N型ドープ領域32とを含んでなる。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND N-TYPE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
シリコン単結晶の製造方法及びN型高ドープ半導体基板 - 特許庁
In the transistor PB, a P+ type impurity doped region 14 and an N type lightly doped well region 12 form a diode D1 whereas, in the transistor NB, an N type lightly doped well region 22, a P type lightly doped well region 20 and a P type lightly doped substrate 10 form a diode D3.例文帳に追加
トランジスタPBではP^+型不純物ドープ領域14とN型低濃度ウエル領域12とでダイオードD_1を形成し、トランジスタNBではN型低濃度ウエル領域22とP型低濃度ウエル領域20及びP型低濃度基板10とでダイオードD_3を形成する。 - 特許庁
For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加
N型ZnOとしてはAlをドープしたものを用いてPN接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁
The silicon carbide semiconductor substrate 100 has a silicon carbide mono crystal substrate 101 with an N-doped n-type SiC epitaxial layer 102 with nitrogen (N) doped and a P-doped n-type SiC epitaxial layer 103 with a phosporous (P) doped sequentially laminated.例文帳に追加
炭化珪素半導体基板100は、炭化珪素単結晶基板101上に、窒素(N)をドープしたNドープn型SiCエピタキシャル層102、およびリン(P)をドープしたPドープn型SiCエピタキシャル層103が順に積層されている。 - 特許庁
One of the electrodes is made of a p-type doped semiconductor material, and the other electrode is made of an n-type doped semiconductor material.例文帳に追加
一方の電極を、p型ドープ半導体材料で作成し、他方の電極をn型ドープ半導体材料で作成する。 - 特許庁
To accurately form an n-type high-concentration impurity region doped with only n-type impurities and an n-type low-concentration impurity region doped with n-type impurities and p-type impurities, by self-alignment when forming the n-type high-concentration impurity region and the p-type low-concentration impurity region on a semiconductor substrate adjacently to each other.例文帳に追加
半導体基板にn型不純物のみを導入したn型高濃度不純物領域と型不純物とp型不純物とを導入したn型低濃度不純物領域と隣接して形成する際、セルフアライメントにより高精度に形成する。 - 特許庁
An n-type ZnO layer 2 doped with Ga, a ZnO light emitting layer 3 which is doped with Ga and 10 μm in thickness, and a p-type ZnO layer 4 doped with N, are formed on a ZnO substrate 1.例文帳に追加
ZnO基板1上に、Gaをドープしたn型ZnO層2と、Gaをドープして厚さが10μmのZnO発光層3と、Nをドープしたp型ZnO層4を備える。 - 特許庁
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