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n-type substrateとは 意味・読み方・使い方
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「n-type substrate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2572件
An n-type substrate 1 is grounded with an n-type well 2 formed on its surface.例文帳に追加
n型の基板1は接地され、表面にn型のウエル2が形成されている。 - 特許庁
n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
n型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
The substrate 2 consists of n-type GaAs.例文帳に追加
基板2は、n型GaAsからなる。 - 特許庁
An n-type cladding layer 103 is formed over an n-type substrate 101.例文帳に追加
n型クラッド層103はn型基板101の上方に形成される。 - 特許庁
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加
P型の半導体基板P-subに中間層として埋め込みN型層B-Nが配設されている。 - 特許庁
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「n-type substrate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2572件
There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加
n^+型AlGaAsエミッタ層5直下部のn^+型GaAs基板1裏面には凹部14を有している。 - 特許庁
A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加
シリコン基板1上に、Pウエル2、Nウエル3を互いに隣接して形成する。 - 特許庁
An n-side electrode 12 is arranged on the lower face of the n-type substrate 1.例文帳に追加
n型基板1の下面には、n側電極12が配置されている。 - 特許庁
An n-electrode is connected to the undersurface of the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加
n型半導体基板の下面にn電極が接続されている。 - 特許庁
As a result, an N-/N+ type laminated substrate is manufactured with a high yield.例文帳に追加
その結果、N^−/N^+型の張り合わせ基板を高歩留まりで作製できる。 - 特許庁
A P-type well region 11 and a N-type well region 12 are formed on a N-type substrate 10.例文帳に追加
N型の基板10上にP型のウェル領域11とN型のウェル領域12を形成する。 - 特許庁
A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加
発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁
The semiconductor substrate 1 in which an n^- type drift layer 6 and an n^+ type semiconductor layer 7 are sequentially formed on an n^+ type substrate 5 is prepared.例文帳に追加
N^+型基板5の上に順にN^-型ドリフト層6、N^+型半導体層7が形成された半導体基板1を用意する。 - 特許庁
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