ohmic lossとは 意味・読み方・使い方

To obtain a reactor which is excellently lowered in iron loss, ohmic loss (copper loss), and noise.例文帳に追加

低鉄損、低導損（銅損）及び低騒音性に優れたリアクトルを得る。 - 特許庁

To provide a large capacity of SiC substrate whose power loss is small, an SiC semiconductor element, and a method for manufacturing this by providing a means for reducing contact resistance between an SiC substrate back face and an ohmic electrode.例文帳に追加

ＳｉＣ基板裏面とオーミック電極との間の接触抵抗を低減する手段を講じ、電力損失の小さい大容量のＳｉＣ基板、ＳｉＣ半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a coil component improved in reliability without causing short circuiting, ohmic loss or the like even by the application of a large amount of current to a coil portion.例文帳に追加

コイル部に大電流を通電しても短絡や抵抗損失等が生じず、信頼性を向上したコイル部品を提供することを目的としている。 - 特許庁

To form a protective film even on a thin magnetic metal film formed on a magnetic tape, which causes a large ohmic loss, with a plasma CVD technique at a higher film-forming rate without causing a failure in a product.例文帳に追加

磁気テープ上に形成した金属磁性膜が薄くなり抵抗損失が大きくなったとしても、成膜速度を高め、製品不良を招くこと無く、プラズマＣＶＤにより金属磁性膜に保護膜を成膜する。 - 特許庁

An induced current occurs in the inside of the fillet ring 41 and dummy column 1 and both members are heated by ohmic loss, but the temperature rising of the main body 9 of the dummy column is suppressed by the cooling water which flows in the inside of the main body.例文帳に追加

すると、フィレットリング４１およびダミーコラム１の内部に誘導電流が生起され、両部材がオーム損により発熱するが、ダミーコラム本体９の温度上昇はその内部に流れる冷却水により抑えられる。 - 特許庁

To provide a collector exhibiting excellent corrosion resistance and having fewer ohmic loss in a lithium ion battery using electrolyte with cyclic carbonic acid ester such as ethylene carbonate and/or chained carbonic acid ester such as dimethyl carbonate, and further with various nitriles added.例文帳に追加

チレンカーボネート等の環状炭酸エステル及び／又はジメチルカーボネート等の鎖状炭酸エステルと、さらに各種ニトリルを添加した電解液を用いたリチウムイオン電池において、優れた耐食性を示し、オーム損の少ない集電体を提供すること。 - 特許庁

The impurity dope layer 15 is formed on the back face side of the substrate so that contact resistance can be reduced at the time of forming an ohmic electrode on the back face of the substrate, and that a large capacity of SiC semiconductor element whose power loss is small can be manufactured.例文帳に追加

基板の裏面側に不純物ドープ層１５を形成することにより、基板裏面にオーミック電極を取る場合に接触抵抗が低下し、電力損失が少なく大容量のＳｉＣ半導体素子を製造することができる。 - 特許庁