p-i-n junctionとは 意味・読み方・使い方

One acicular crystal is grown in a thin line 1 by adding a catalytic substance, and a crystalline thin film diode having a p-n junction or a p-i-n junction is manufactured in the thin line part 1, or a crystalline thin film transistor having the thin line part 1 as a channel is manufactured.例文帳に追加

触媒物質を添加して細線部１内に一つの針状結晶を成長させ、この細線部１内にｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合を有する結晶性薄膜ダイオードを作製するか、細線部１をチャネルとする結晶性薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

To manufacture a crystalline thin film semiconductor device having good characteristics by improving the p-n junction, p-i-n junction or crystallinity of a semiconductor film in a channel forming region and minimizing an impurity concentration having an adverse effect on the characteristics.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合またはチャネル形成領域の半導体膜の結晶性を良好にし、特性に悪影響を及ぼす不純物濃度を極力低減して、良好な特性の結晶性薄膜半導体装置を作製する。 - 特許庁

Since no grain boundary exists in these p-n junction and p-i-n junction or in the channel region, the concentration of the catalytic substance is lowered and a diode or a transistor having characteristics close to those attained by using a single crystal can be manufactured.例文帳に追加

この場合、これらのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合領域またはチャネル領域内に結晶粒界がなく、触媒物質濃度が低くなり、単結晶を用いた場合に近い特性のダイオードやトランジスタを作製することができる。 - 特許庁

The photonic crystal has a PIN junction structure formed by joining a P clad 130 made of a P-type semiconductor, an I part 170 including an active part, and an N clad 140 made of an N-type semiconductor together in a first direction, and has the plurality of resonators including the active part 160.例文帳に追加

フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。 - 特許庁

A diaphragm part 1 in which a detecting element (a p-n junction diode) D_j,_i is arranged is supported in an array isolation region 3 in a hollow state by a first support leg 2a and a second support leg 2b.例文帳に追加

検出素子（ｐｎ接合ダイオード）Ｄ_j,iを配置しているダイアフラム部１が、第１支持脚２ａと第２支持脚２ｂにより中空状態でアレイ分離領域３に支持されている。 - 特許庁

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics.例文帳に追加

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。 - 特許庁

The cell includes a reflecting metal substrate (2) which serves as a lower electrode, a stack of hardened amorphous silicon layers forming a P-I-N junction (8), and an upper transparent electrode (9).例文帳に追加

電池は、下部電極の役目をする反射金属基板（２）、ｐ−ｉ−ｎ接合（８）を形成する硬化アモルファスシリコン層のスタック、及び、透明な上部電極（９）を含む。 - 特許庁

A pin-junction is formed by laminating an i-type hydrogenated amorphous silicon layer 2 and a p-type hydrogenated amorphous silicon layer 3 on an n-type silicon wafer 1.例文帳に追加

ｎ型のシリコンウェハ１に、ｉ型の水素化非晶質シリコン層２及びｐ型の水素化非晶質シリコン層３を積層して．ｐｉｎ接合を構成する。 - 特許庁