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p-type Siとは 意味・読み方・使い方
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「p-type Si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 186件
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。 - 特許庁
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加
p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁
The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.例文帳に追加
p層3は、p型poly−Si:Hからなり、n層5は、n型poly−Si:Hからなる。 - 特許庁
The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加
p層3は、p型a−Si:Hからなり、n層5は、n型a−Si:Hからなる。 - 特許庁
The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加
p層3は、p型a−Si:Hからなり、n層5は、n型a−Si:Hからなる。 - 特許庁
By this setup, the resistivity of the p-type layer containing Si can be reduced to 40 to 90% of that of a Si-free p-type layer.例文帳に追加
これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90%に低減する。 - 特許庁
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「p-type Si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 186件
A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加
p型Si基板1上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜4を形成する。 - 特許庁
A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加
単結晶Si基板1上に多孔質Si層2を形成し、その上に太陽電池層となるp^+ 型Si層3、p型Si層4およびn^+ 型Si層5を形成する。 - 特許庁
The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.例文帳に追加
下地層3は、p型poly−Siからなり、p層4は、p型a−Si:Hからなり、i層5は、i型a−Si:Hからなり、n層6は、n型a−Si:Hからなり、電極7は、Alからなる。 - 特許庁
Therefore, the resistivity of the p-type layer is reduced to 40-90%, as compared with the case where the p-type layer does not substantially contain Si.例文帳に追加
これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90%に低減する。 - 特許庁
The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加
ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁
The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加
Si層14は、n型不純物濃度が7x10^18atoms・cm^-3程度のn型Si層と、n型Si層の上に形成され、p型不純物濃度が2x10^17atoms・cm^-3程度のp型Si層とからなる。 - 特許庁
A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加
μc-Siのp層6と非晶質シリコンゲルマニウム(a-SiGe)のi層4との間に、p層6よりバンドギャップが広く、p型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン(a-Si)のp/i界面層5を挟む。 - 特許庁
The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加
p型シリコン窒化膜3は、p型Siからなる複数の量子ドット31を含む。 - 特許庁
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