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p. 108とは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 P.108 はピアッジョ社が開発した、イタリア空軍向けの爆撃機である。
「p. 108」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 163件
The p-InP cover layer 108 is etched with the SiO2 film 109 as a mask (Fig.3 (b)).例文帳に追加
SiO_2膜109をマスクとして、p-InPカバー層108をエッチングする(図3(b))。 - 特許庁
(p) Authority pursuant to the provisions of Article 108 paragraph (2) of the Act発音を聞く 例文帳に追加
タ 法第百八条第二項の規定による権限 - 日本法令外国語訳データベースシステム
A clad layer 102, an active layer 103, and a clad layer 104 are formed by selective growth, and further a p-InP burial layer 106, a p+- InGaAs contact layer 107, and a p-Inp cover layer 108 that is an oxygen passivation prevention film are selectively grown.例文帳に追加
選択成長によりクラッド層102、活性層103、クラッド層104を形成し、更にp-InP埋め込み層106、p^+-InGaAsコンタクト層107、水素パッシベーション防止膜であるp-InPカバー層108を選択成長させる。 - 特許庁
A complex linear operation circuit 108 stores the inverse matrix of a matrix consisting of q rows and p columns of exp(2πjk_pn_q/N) about a set {k_p} using the carrier numbers of M effective carriers as elements and a set {n_q} using sample numbers 0 to M-1 as elements.例文帳に追加
複素線形演算回路108には、M本の有効キャリアの番号を要素とする集合{k_p}、サンプル番号0乃至M-1を要素とする集合{n_q}について、q行p列がexp(2πjk_pn_q/N)である行列の逆行列が記憶されている。 - 特許庁
A p-type ohmic area 109 is formed by implanting p-type impurity ions such as B ion or the like into the surface of the p-type embedding layer 108 while the oxide film 103 is used as a mask, annealing at high temperature and diffusing the p-type impurities in the p-type embedding layer 108.例文帳に追加
P型オーミック領域109は、酸化膜103をマスクとして、P型埋込層108の表面にBイオン等のP型不純物イオンを注入し、高温でアニールを行い、P型不純物をP型埋込層108内に拡散することによって形成される。 - 特許庁
The work function of a metal constituting the n-side electrode 107 is different from that of a metal constituting the p-side electrode 108.例文帳に追加
n側電極107とp側電極108とを構成する金属の仕事関数は異なる。 - 特許庁
A ground voltage and a power voltage are applied to the P-wells 106 and N-wells 108, respectively.例文帳に追加
Pウェル106およびNウェル108には、それぞれ接地電圧および電源電圧が印加される。 - 特許庁
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「p. 108」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 163件
A region where each N-well 108 is in contact with the embedded P-well 104 has a width of ≤2 μm.例文帳に追加
各Nウェル108が埋込Pウェル104と接する領域の幅は、2μm以下である。 - 特許庁
A decoupling capacitance is formed between the N-wells 108 and the embedded P-well 104.例文帳に追加
Nウェル108と埋込Pウェル104との間でデカップリング容量が形成される。 - 特許庁
A p+ region 108 is formed at the bottom part of the trench 22 which leads to a p+ type silicon substrate 101.例文帳に追加
トレンチ溝22底部には、p+型領域108が形成され、p+型シリコン基板101に繋がっている。 - 特許庁
A p-type cladding layer 110 is formed on the current-blocking layer 108 and the p-side optical confinement layer 107.例文帳に追加
p型クラッド層110は電流ブロック層108及びp側光閉じ込め層107の上に形成される。 - 特許庁
A first trench 108 is formed on a surface of the p-type layer 104 facing the p-electrode 103 with a depth reaching the n-type layer 106.例文帳に追加
p型層104のp電極103側の表面に、第1の溝108が形成され、n型層106に達する深さである。 - 特許庁
The light emitting element 100 includes a first groove 108 formed on a surface on a side of a p-type layer 104 bonded to a p-type electrode 103.例文帳に追加
発光素子100は、p型層104のp電極103と接合している側の表面に、第1の溝108が形成されている。 - 特許庁
A groove 108 is formed on a surface of this light-emitting element 100 on the side joined to a p-electrode 103 of a p-type layer 104.例文帳に追加
発光素子100は、p型層104のp電極103と接合している側の表面には、溝108が形成されている。 - 特許庁
A pressure variation ΔP of the tank interior before and after heating value input is calculated on the basis of the pressure P and the pressure P' (step 108).例文帳に追加
圧力P、および圧力P’に基づいて、熱量投入前後におけるタンク内部の圧力変化量ΔPを算出する(ステップ108)。 - 特許庁
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