p. 24とは 意味・読み方・使い方

A comparative determination device 24 calculates a distance d(h_k, g_p) between the sample image I_k and a non-target image J_p.例文帳に追加

比較判定装置２４は、サンプル画像Ｉ_kと対象外画像Ｊ_pとの距離である距離ｄ（ｈ_k、ｇ_p）を計算する。 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

A p-electrode is connected to the p-type clad layer through the opening 26 of the insulation film 24.例文帳に追加

ｐ電極は、絶縁膜２４の開口２６を介してｐ型クラッド層に接続されている。 - 特許庁

When the gate G is at the first position, the paper sheets P are fed to a first paper feed roller 24, and fed from the first paper feed roller 24 to a standby tray 10.例文帳に追加

ゲートＧが第１の位置にあるとき、用紙Ｐは第１の給紙ローラ24に供給され、第１の給紙ローラ24から待機トレイ10に送られる。 - 特許庁

A dielectric film 22 is formed thereon, and a P-side electrode 23 and a N-side electrode 24 are formed.例文帳に追加

その上に誘電体膜22を形成し、ｐ側電極23とｎ側電極24を形成する。 - 特許庁

In the device, a current injection is performed into its gain region 30 by a constant-current source 28 via an n-side common electrode 12, and a p-side electrode 24 of the gain region.例文帳に追加

利得領域30には、n側共通電極12と利得領域のp側電極24とを介して定電流源28によって電流注入がなされる。 - 特許庁

An n-well 23 and a p-well 24 are formed on a silicon substrate 22, and a memory cell forming region 25 is formed in the p-well 24.例文帳に追加

シリコン基板２２に、Ｎウェル２３、Ｐウェル２４を形成し、Ｐウェル２４にはメモリセル形成領域２５を設ける。 - 特許庁

A p-type well 22 of a photoelectric conversion part and a p-type well 24 of a signal scanning circuit part in a photodiode are formed on a p-type substrate 20.例文帳に追加

ｐ型基板２０上にフォトダイオードの光電変換部のｐ型ウェル２２と、信号走査回路部のｐ型ウェル２４が形成される。 - 特許庁