periとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 「周りの」の意、「近い」の意
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periの学習レベル | レベル:19 |
「peri」を含む例文一覧
該当件数 : 13件
POLYMER HAVING PERI-CYCLIC BLOCKING GROUP AND RESIST COMPOSITION CONTAINING THE SAME POLYMER例文帳に追加
ペリ環状保護基を有するポリマーおよび該ポリマーを含有するレジスト組成物 - 特許庁
The bond pad wiring pattern 12 is formed in the shape of line having a predetermined pattern on a layer where a conventional bond pad is formed and one end is located in the perimeter region A_peri.例文帳に追加
ボンドパッド配線パターン12は、従来のボンドパッドが形成される層に所定のパターンを有するライン形態で形成され、一端が周辺領域A_periに位置する。 - 特許庁
Since the rearrangement chip pad 17 is formed above the cell regions A_cell1, A_cell2 and a region for forming a chip pad is not provided in the perimeter region A_peri, the chip size can be reduced.例文帳に追加
再配置チップパッド17をセル領域A_cell1、A_cell2の上部に形成し、周辺領域A_periにおいてチップパッドの形成のために用意する領域を設けないことによって、チップサイズを減少させることができる。 - 特許庁
The perimeter region A_peri becomes narrower than before because the bond pad region is not assured and only a part of the bond pad wiring pattern 12 in the shape of line exists.例文帳に追加
周辺領域A_periの幅は、ボンドパッド領域が確保されていなくて、ライン形態である一部のボンドパッド配線パターン12だけが存在するので、従来と比べて狭くなっている。 - 特許庁
The chip size can be reduced by forming the pads 17 on the upper parts of the regions A_cell1, A_cell2 and not providing a region for preparing to form the chip pad on the region A_peri.例文帳に追加
再配置チップパッド17をセル領域A_cell1、A_cell2の上部に形成し、周辺領域A_periにおいてチップパッドの形成のために用意する領域を設けないことによって、チップサイズを減少させることができる。 - 特許庁
The width of the peripheral region A_peri is narrower than the conventional width because the bond pad region is not secured but only a part of the bond pad wiring pattern 12 which is in a line form is present.例文帳に追加
周辺領域A_periの幅は、ボンドパッド領域が確保されていなくて、ライン形態である一部のボンドパッド配線パターン12だけが存在するので、従来と比べて狭くなっている。 - 特許庁
The integrated circuit chip 10 comprises a semiconductor substrate 11 having a perimeter region A_peri between cell regions A_cell1, A_cell2 where an integrated circuit is formed by center pad chip design, and a bond pad wiring pattern 12 connected with the integrated circuit on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加
集積回路チップ10は、センターパッド型チップ設計による集積回路が形成されたセル領域A_cell1、A_cell2の間に周辺領域A_periを有する半導体基板11と、該半導体基板11上に集積回路と接続されるボンドパッド配線パターン12とを含む。 - 特許庁
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ハイパー英語辞書での「peri」の意味 |
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遺伝子名称シソーラスでの「peri」の意味 |
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PERI
human | 遺伝子名 | PERI |
同義語(エイリアス) | PLIN; perilipin; Perilipin; Lipid droplet-associated protein | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:O60240 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:5346 | |
その他のDBのID | HGNC:9076 |
mouse | 遺伝子名 | PERI |
同義語(エイリアス) | perilipin A; perilipin B; Plin; Peri; Lipid droplet-associated protein; Perilipin; perilipin; 6030432J05Rik | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q8CGN5 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:103968 | |
その他のDBのID | MGI:1890505 |
mouse | 遺伝子名 | peri |
同義語(エイリアス) | PN; Periostin; AI747096; periostin, osteoblast specific factor; Osteoblast-specific factor 2; Postn; OSF-2; Osf2; Periostin precursor | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q62009 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:50706 | |
その他のDBのID | MGI:1926321 |
rat | 遺伝子名 | PERI |
同義語(エイリアス) | Plin; PERIA; perilipin; Lipid droplet-associated protein; Perilipin | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P43884 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:25629 | |
その他のDBのID | RGD:3351 |
本文中に表示されているデータベースの説明
Wiktionary英語版での「peri」の意味 |
Peri
統計情報
- According to the 2010 United States Census, Peri is the 26932nd most common surname in the United States, belonging to 901 individuals. Peri is most common among White (63.37%), Asian/Pacific Islander (20.53%), and Hispanic/Latino (11.65%) individuals.
peri-
語源
From Ancient Greek περί (perí, “about, around”). Cognate to for via Proto-Indo-European.
接頭辞
peri-
- around or surrounding
- near
- peri- + helion → perihelion
- during
- peri- + apocalyptic → peri-apocalyptic
- peri- + natal → perinatal
反意語
- (near): disto-
派生語
関連する語
- peripatetic
- peripherad
- periphery
Weblio例文辞書での「peri」に類似した例文 |
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peri
ピーウィー
pewees
pittas
《戯言》 べッドのほうへ.
プーク
ぱかり
wrasses
「peri」を含む例文一覧
該当件数 : 13件
An integrated circuit chip 10 includes a semiconductor substrate 11 which has a peripheral region A_peri between an A_cell2 and a cell region A_cell1, where an integrated circuit by a center pad type chip design is formed, and a bond pad wiring pattern 12 which is connected with the integrated circuit on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加
集積回路チップ10は、センターパッド型チップ設計による集積回路が形成されたセル領域A_cell1、A_cell2の間に周辺領域A_periを有する半導体基板11と、該半導体基板11上に集積回路と接続されるボンドパッド配線パターン12とを含む。 - 特許庁
The integrated circuit chip 10 comprises a semiconductor substrate 11 having cell regions A_cell1, A_cell2 and a peripheral region A_peri, a chip pad wiring pattern 12 formed on the substrate 11, a protective film 16 covering the pattern 12, and relocated chip pads 17 connected to the pattern 12 and formed on the regions A_cell1, A_cell2.例文帳に追加
集積回路チップ10は、セル領域A_cell1、A_cell2と周辺領域A__periを有する半導体基板11と、半導体基板11上に形成されたチップパッド配線パターン12と、チップパッド配線パターン12を覆う保護膜16と、チップパッド配線パターン12と接続されセル領域A_cell1、A_cell2上に形成された再配置チップパッド17とを備える。 - 特許庁
This polymer having at least 1 peri-cyclic blocking group such as 2-methyl-2-bicyclic [2,2,1]heptanyl is used as a protecting resin for the resist composition.例文帳に追加
2−メチル−2−二環式[2、2、1]ヘプタニルのようなペリ環状保護基を少なくとも一つ有するポリマーをレジスト組成物の保護樹脂として用いる。 - 特許庁
In the production method, thiophenes of formula (1) and diols of formula (2) are reacted in an aromatic hydrocarbon solvent in the presence of a sulfonic acid catalyst chosen from benzenesulfonic acids having amino groups at ortho position or naphthalenesulfonic acids having amino groups at ortho or peri position.例文帳に追加
式(1)のチオフェン類と式(2)のジオール類とを、芳香族炭化水素溶媒中、スルホン酸触媒としてオルト位にアミノ基を有するベンゼンスルホン酸類、またはオルト位またはペリ位にアミノ基を有するナフタレンスルホン酸類の存在下に反応させる。 - 特許庁
There are provided: an organic semiconductor material comprising a hexa-peri-hexabenzocoronene derivative having a group such as -C_6H_4O(-R^4-O-)nR^3 (R^3 represents an alkyl group, R^4 represents an alkylene group, and n represents 0 or a positive integer); and its manufacturing method.例文帳に追加
−C_6H_4O(−R^4−O−)nR^3(R^3はアルキル基を表し、R^4はアルキレン基を表し、nは0または正の整数を表す。)等の基を持つヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体よりなる有機半導体材料、及びその製造方法で実現する。 - 特許庁
The fuel cell assembly has at least one reactant path (134, 135, 136) extending at least one time around the peri of the inner region of the assembly and having an upstream end associated with the outer region and a downstream end associated with the inner region of the assembly respectively.例文帳に追加
本発明の燃料電池アセンブリは、当該アセンブリの内側領域の境界の周りに少なくとも1回は延在し且つ当該アセンブリの外側領域と関連する上流端及び内側領域と関連する下流端を有する少なくとも1つの反応物経路(134、135、136)を備えている。 - 特許庁
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