phosphorus 32とは 意味・読み方・使い方

Case hardening by nickel phosphorus plating of material of the valve seat 32 is performed to form the bearing surface 32a of the valve seat 32 made of high-hardness material.例文帳に追加

弁座３２の座面３２ａは、ニッケル−リンめっきによる弁座３２の素材の表面硬化によって高硬度な材質で構成されている。 - 特許庁

A control unit 24 controls a nitrogen pump 32 and a phosphorus pump 34 so that the addition amounts of nitrogen and phosphorus become smaller than theoretical values in the case of high concentration as compared with the case of low concentration.例文帳に追加

そして、制御装置２４は、高濃度の場合には、低濃度の場合に比べ、窒素、リンの添加量が理論値より少なくなるように窒素ポンプ３２、リンポンプ３４を制御する。 - 特許庁

As for the electrolytic nickel-plated layer 32, the phosphorus content is reduced, so that the electrical resistance is satisfactorily reduced.例文帳に追加

前記電解ニッケルメッキ層３２はリン含有率を低くすることで、電気抵抗を十分低くできる。 - 特許庁

On an n-type low-resistance substrate which becomes an n+-type drain layer 31 and an n--type high-resistance layer 32 is formed by the epitaxial method and, at the same time, boron and phosphorus are selectively injected into the layer 32.例文帳に追加

ｎ^+ドレイン層３１となる低抵抗のｎ型サブストレート上に、エピタキシャル法によりｎ^-高抵抗層３２を形成すると同時に、選択的にボロンおよびリンを注入する。 - 特許庁

A silicon oxide film 25 containing phosphorus and/or boron is formed on a jointing surface of a second substrate 32; and a first substrate 31 and the second substrate 32 are heat-treated and joined together, after being superposed together in an atmosphere of an inert gas.例文帳に追加

第２基板３２の接合面に燐及び／又はホウ素を含むシリコン酸化膜２５を形成し、第１基板３１と第２基板３２とを不活性ガス雰囲気で重ね合わせた後、熱処理を施して接合する - 特許庁

A phosphorus removal line 34 for returning a part of the treated liquid stored in the final treatment water tank 26 to the biofiltration tank 24 through a phosphorus removal device 40 installed separately from biofiltration tank 24, and a circulating line 32 for returning a part of the treated liquid stored in the water tank 26 to the primary treatment tanks 20, 22 without through the phosphorus removal device are installed in parallel.例文帳に追加

最終処理水槽２６に貯留してある被処理液の一部を、生物濾過槽２４とは別に具備してある脱リン装置４０を介して生物濾過槽２４に戻す脱リン・ライン３４と、処理水槽２６に貯留してある被処理液の一部を、脱リン装置を介さずに一次処理槽２０，２２に戻す循環ライン３２とが、並列に具備してある。 - 特許庁

The gate electrodes 16 and 17 of n-channel transistors 31 and 32 formed in the p-well 13 are injected with arsenic as impurities, and the gate electrode 17 is further injected with phosphorus.例文帳に追加

ｐウェル１３に形成されたｎチャネル型トランジスタ３１および３２のゲート電極１６および１７には、不純物としてヒ素が注入されており、加えてゲート電極１７にはさらにリンも注入されている。 - 特許庁