plasma sheathとは 意味・読み方・使い方

To provide a sheath width detecting method between the plasma and a boundary which is produced when a substrate or the like is installed into the plasma by observations.例文帳に追加

実測によりプラズマ中に基板等を設置した時に生じる、プラズマと境界の間のシース幅検出方法を提供する。 - 特許庁

Adoption of a step, for the processing processes, of controlling the plasma distribution to be higher toward external portions through the application of a lower source power and a wafer bias power in the plasma ON/OFF states to form a thicker sheath around the center and a thinner sheath than the thickness of the sheath above around the outer circumference above the wafer.例文帳に追加

プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 - 特許庁

The plasma processing apparatus provided with a plasma source controllable of plasma distribution controls the shape of a sheath-bulk boundary above the wafer to be an upward convex form in plasma ON/OFF states.例文帳に追加

プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus is provided with measurement means (51A, 53A to 53E, 54) for measuring electric field of a sheath SH, formed on a plasma circumferential edge and a control means (55) for controlling the parameters of plasma generation, based on the measurement results of the measurement means.例文帳に追加

プラズマ周縁に形成されるシースＳＨの電界を計測する計測手段（５１Ａ，５３Ａ〜５３Ｅ，５４）と、この計測手段の計測結果に基づきプラズマ生成のパラメータを制御する制御手段（５５）とを備える。 - 特許庁

An ion sheath is formed on the inner wall of the reaction tube 14 through capacitive coupling and almost all ions in plasma move toward a sample 22 and etch the sample.例文帳に追加

反応管１４内壁には、容量結合によりイオンシース（ion sheath）が形成され、プラズマ中のイオンのほとんどは試料２２に向かい、それをエッチングする。 - 特許庁

The device includes at least one Faraday cup 300 for collecting samples of positive ions traversing the plasma sheath.例文帳に追加

装置はプラズマシースを横切る正イオンのサンプルを収集するための少なくとも一つのファラデーカップ３００を含む。 - 特許庁

The plasma sheath controllers 41, 41' are provided with a second ion extraction aperture 41H smaller than the first ion extraction aperture 49H.例文帳に追加

プラズマシース制御器４１及び４１‘は、第１イオン抽出口４９Ｈよりも小さい大きさの第２イオン抽出口４１Ｈを備える。 - 特許庁

That is, the wiring circuit board 10 is installed outside of a sheath layer 7 in an area where a plasma density generated near the AC electrode 5 is high.例文帳に追加

すなわち、交流電極５近傍に発生するプラズマ密度の高い領域であるシース層７外に配線回路基板１０を設置する。 - 特許庁