principal dielectric constantとは 意味・読み方・使い方

The high dielectric constant sheet 20 comprises a dielectric layer 21 having a first principal surface 117 and a second principal surface 118.例文帳に追加

高誘電率材シート２０は誘電体層２１を備え、誘電体層２１は第１主面１１７及び第２主面１１８を有する。 - 特許庁

The low-dielectric-constant film is formed in an interlayer insulating film 1Li2 formed on the principal surface of a semiconductor wafer 1W.例文帳に追加

半導体ウエハ１Ｗの主面上に形成された層間絶縁膜１Ｌｉ２には低誘電率膜が形成されている。 - 特許庁

To impart such superior dielectric characteristics as a high relative dielectric constant, a low absolute value of the temp. coefft. of resonance frequency and a high no-load quality factory by incorporating specified amts. of an alkali metal oxide and Bi2O3, into a principal component consisting of BaO, RE2O3 and TiO2.例文帳に追加

比誘電率εrが比較的大きく、共振周波数の温度係数τfの絶対値が小さく、且つ無負荷品質係数Ｑuが大きいＢａＯ−ＲＥ_2Ｏ_3−ＴｉＯ_2系の誘電体材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Both improvement in the mechanical strength and improvement in the temperature characteristic of dielectric constant can be satisfied simultaneously, because the temperature characteristics of the dielectric constant of a ceramic dielectric layer 1 is improved by using at least one of rare-earths and titanium oxides as the material for the ceramic dielectric layer 1 and mechanical strength is improved, by introducing compressive stresses to the principal front surface 4 of the ceramic dielectric layer.例文帳に追加

セラミック誘電体層１の材料として希土類及び酸化チタンの少なくとも一方を用いることでセラミック誘電体層１の誘電率の温度特性を向上させ、またセラミック誘電体層の主表面部４に圧縮応力を導入することで機械的強度を向上させているので、機械的強度向上と誘電率の温度特性向上の２つを同時に満たすことが可能となる。 - 特許庁

In the carbon dioxide laser oscillator, principal discharge surfaces 9 of discharging electrodes 5 (a, b) are each provided with a titanium-oxide ceramics dielectric or barium-titanate ceramics dielectric coating 11, and a ceramic coating 13 having a low dielectric constant is provided around the principal discharging surfaces and on both side faces of each of electrodes.例文帳に追加

放電電極５（ａ，ｂ）の主放電面９に酸化チタン系セラミックス誘電体またはチタン酸バリウム系セラミックス誘電体被膜１１を設け、主放電面周辺および電極両側面に低誘電率を有するセラミックス被膜１３を設けたことを特徴とする炭酸ガスレーザ発振器。 - 特許庁

Then, an insulating film 15b of a wiring cap, which mainly contains a material having a smaller dielectric constant than silicon nitride, is deposited on the principal plane of the wafer 1W by CVD method using an organic silane compound gas as film-forming gas.例文帳に追加

その後、成膜ガスとして有機系シラン化合物ガスを用いたＣＶＤ法によりウエハ１Ｗの主面上に窒化シリコンよりも誘電率の低い材料を主体とする配線キャップ用の絶縁膜１５ｂを堆積する。 - 特許庁

To provide a method of calculating a value of a surface charge density unknown easily when values of an in-film charge density, a film thickness and a relative dielectric constant, of an insulating film formed on a principal plane of a semiconductor substrate are known.例文帳に追加

半導体基板の主面上に形成された絶縁膜の膜内電荷密度、膜厚および比誘電率の値が既知である場合に、値が未知である表面電荷密度の値を容易に求める方法の提供。 - 特許庁