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punch-through voltageとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 つきぬけ電圧


JST科学技術用語日英対訳辞書での「punch-through voltage」の意味

punch‐through voltage


「punch-through voltage」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 36



例文

The semiconductor device, when positive excessive voltage is applied to the electrostatic capacitance element, is protected from excessive voltage in a first operation mode where it is clamped to low voltage by punch-through operation.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、静電容量素子の片側電極に保護素子として動作するための電極を近接配置している。 - 特許庁

Then, the punch-through breakdown voltage between the drain and the source can be improved, thus achieving a desired breakdown voltage characteristic of the MOS transistor 1.例文帳に追加

そして、ドレイン−ソース間のパンチスルー耐圧を向上させ、MOSトランジスタ1の所望の耐圧特性を実現できる。 - 特許庁

Thereafter, a punch-through preventive layer 10 is formed by the use of the mask which is used when the threshold voltage adjusting layer is formed.例文帳に追加

その後、しきい値電圧調整層9を形成する際に使用したマスクを使用して、パンチスルー防止層10を形成する。 - 特許庁

The punch through preventing region effectively reduces the extension of diffusion in the lateral direction in a drain region for high withstand voltage as compared with the extension of the diffusion in the depthwise direction.例文帳に追加

パンチスルー防止領域により、高耐圧用のドレイン領域の横方向の拡散の伸びを深さ方向に比べ効果的に小さくした。 - 特許庁

To provide a two-transistor PMOS memory cell which has a low programming voltage and a superior tolerance with respect to punch through.例文帳に追加

プログラミング電圧が低く、パンチスルーに対して優れた耐性を有する2トランジスタPMOSメモリセルを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device high in withstand voltage by preventing a punch-through at a trench corner.例文帳に追加

トレンチのコーナー部でのパンチスルーを防止して、高い耐圧を確保できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

例文

To hardly generate punch through and latch-up caused by noise or the like in a semiconductor device that is operated at a high voltage.例文帳に追加

高電圧で動作をする半導体装置において、ノイズなどによるパンチスルーやラッチアップを起こし難くする。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「punch-through voltage」の意味

punch-through voltage

きぬけ電圧突抜け電圧,パンチスルー電圧

クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「punch-through voltage」の意味

punch-through voltage


punch through voltage

パンチスルー電圧

「punch-through voltage」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 36



例文

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, with which the threshold voltage of a transistor can be controlled easily and a punch-through breakdown can be prevented.例文帳に追加

トランジスタのしきい値電圧の制御が容易で且つパンチスルーを防ぐことが可能な半導体装置及びその製造方を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device that reduces punch-through voltage generated at a pixel simply and suppresses generation of flickers.例文帳に追加

簡便に画素に発生する突抜け電圧を低減することができ、フリッカの発生を抑制することができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To make feasible of avoiding the fluctuation in the threshold value voltage also raising the surge resistance level as well as avoiding the defective punch through.例文帳に追加

しきい値電圧の変動を防止し、サージ耐圧が高くできると共にパンチスルーの発生を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which punch through breakdown voltage can be increased, without making the well deep.例文帳に追加

ウエルの深さを深くしなくてもパンチスルー耐圧を高くできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which punch-through breakdown voltage can be increased, without making the well deep.例文帳に追加

ウエルの深さを深くしなくてもパンチスルー耐圧を高くできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極103と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層107A、107Bとパンチスルーストッパー層108を有するMOS電界効果トランジスタにおいて、N型パンチスルーストッパー層108の表面に、このパンチスルーストッパー層108とは反対導電型のP型層110を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁

Such a voltage as not causing punch through between the source layer 15 and the drain layer 17 but causing punch through between the drain layer 17 and the DNW 12 is applied between the source layer 15 and the drain layer 17 thus driving the N type LDMOS 26.例文帳に追加

そして、ソース層15とドレイン層17との間ではパンチスルーが発生せず、ドレイン層17とDNW12との間ではパンチスルーが発生するような電圧を、ソース層15とドレイン層17との間に印加して、N型LDMOS26を駆動させる。 - 特許庁

例文

A punch-through voltage of a pixel can be held constant in the screen, so a voltage applied to liquid crystal becomes constant and the uniform screen having no place dependency of luminance in itself is obtained.例文帳に追加

画素の突き抜け電圧を画面内で一定に保つことができるため、液晶に印加される電圧が一定となり、面内での輝度の場所依存のない均一な画面を得ることができる。 - 特許庁

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「punch-through voltage」の意味に関連した用語
1
つきぬけ電圧 英和専門語辞典

2
突抜け電圧 英和専門語辞典

3
パンチスルー電圧 日英・英日専門用語

4
downstrike Wiktionary英語版


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