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remaining gateとは 意味・読み方・使い方
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「remaining gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 100件
The remaining conductor layer and the remaining polysilicon layer constitute a gate having a cross section in the shape of inverted T.例文帳に追加
残留する導体層および残留するポリシリコン層は逆Ｔ字形の断面を有するゲートを構成する。 - 特許庁
To suppress dispersion of quantity of ion implantation caused by variability of the thickness of remaining film on a substrate (gate electrode).例文帳に追加
基板（ゲート電極）上の残膜厚ばらつきに起因するイオン注入量ばらつきを抑止する。 - 特許庁
Then, the remaining nitride film is eliminated on the entire surface and a thin gate oxide film is formed, thus obtaining the gate oxide film with a different film thickness.例文帳に追加
次に残りの窒化膜を全面除去して薄いゲート酸化膜を形成することにより、異なった膜厚のゲート酸化膜を得る。 - 特許庁
To provide a seal for a bearing capable of preventing the fall off of the gate mark remaining after injection molding due to a pinpoint gate system.例文帳に追加
ピンポイントゲート方式による射出成形後に残存するゲート跡の欠落を防止できる軸受用シールを提供する。 - 特許庁
To provide a gate cutter showing an advantage in exactly cutting a remaining gate portion by giving no damage to a molded article.例文帳に追加
成形品にダメージを与えることなく残存ゲート部を正確にカットする上で有利なゲートカット装置を提供する。 - 特許庁
To prevent an increase in gate leakage current or variation of the work function of a gate electrode forming material caused by metal gate forming and other metal atoms remaining on a semiconductor substrate, especially in a gate insulating film.例文帳に追加
メタルゲート形成用等の金属原子が半導体基板、特にゲート絶縁膜に残存することによるゲートリーク電流の増大又はゲート電極の形成材料における仕事関数の変動を防止できるようにする。 - 特許庁
Then region parts of the gate electrode material layers present outside the gate electrode formation expected regions are removed, and a gate electrode 41 is formed of a region part of the remaining gate electrode material layer.例文帳に追加
そして、ゲート電極形成予定領域の外側に存在するゲート電極材料層の領域部分を除去するとともに、残存したゲート電極材料層の領域部分からゲート電極４１を形成する。 - 特許庁
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「remaining gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 100件
This gate mark treatment device has a pressing part which modifies the gate mark so that the gate mark remaining in the recessed part does not protrude outwardly from the recessed part by pressing the pressing part to the recessed part formed on the surface of the injection moldings.例文帳に追加
射出成形品の表面に設けられているの凹状部に押し当てられることで、前記凹状部の中にあるゲート跡が前記凹状部より外へ突出しないように、前記ゲート跡を変形させる押圧部を備える - 特許庁
The circuit is provided with a first transistor 3 which is connected to a gate of the MOSFET 9 through a resistor 6 and supplies a voltage to the gate and a second transistor 4 which is connected to the gate of the MOSFET 9 and pulls out the charge remaining in the gate.例文帳に追加
ＭＯＳＦＥＴ９のゲートに抵抗６を通じて接続されると共に、ゲートに電圧を供給する第１のトランジスタ３と、ＭＯＳＦＥＴ９のゲートに接続されると共に、ゲートに残留した電荷を引き抜く第２のトランジスタ４とを備える。 - 特許庁
Then the gate insulating film 7 is larger in film thickness at a portion adjacent to the source region 9 than at the remaining portions other than the adjacent portion.例文帳に追加
そして、ゲート絶縁膜７において、ソース領域９に隣接する部分は、当該部分以外の残余の部分よりも大きい膜厚を有している。 - 特許庁
The remaining conductor layer, the polysilicon layer in a position other than the spacer, and the gate oxide layer are removed.例文帳に追加
残留する導体層およびスペーサー以外の位置にあるポリシリコン層およびゲート酸化物層を除去する。 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR REMOVING REMAINING GATE/TIE BAR AFTER SEALING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RESIN, AND DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置の樹脂封止後におけるゲート残り・タイバーの除去装置および方法、並びに半導体装置の製造装置および方法 - 特許庁
The remaining part is filled with a substance having an etching selectivity against the insulating film so that a gate capping film can be formed.例文帳に追加
絶縁膜に対してエッチング選択比を有する物質でグルーブの残り部分を充填してゲートキャッピング膜を形成する。 - 特許庁
To provide a polyester vessel showing excellence in heat resistance and impact resistance though a thick portion becoming an injection gate remaining portion is formed on a center of a bottom portion.例文帳に追加
射出ゲート残部となる厚肉部が底部中心に形成されていながら、耐熱性と耐衝撃性とに優れたポリエステル容器を提供する。 - 特許庁
Further, a remaining part 42 where the cut gate part remains is formed on or inside the virtual outer circumferential surface.例文帳に追加
さらに、仮想外周面と同じか又は内側に、切断されたゲート部が残存する残存部４２が形成される。 - 特許庁
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