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reramとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ReRAMとは、半導体メモリの一種で、電圧を加える（印加する）と電気抵抗の値が変化する金属酸化物の素子を利用して、データを保持する方式の不揮発性メモリのことである。、Reラム
「reram」を含む例文一覧
該当件数 : 17件
ReRAM例文帳に追加
ＲｅＲＡＭ - 特許庁
To provide a resistance change memory (ReRAM) for achieving high integration and stable operation.例文帳に追加
高集積かつ安定した動作を実現する抵抗変化メモリ（ＲｅＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁
To prevent an interval between ReRAM elements from becoming against the rule, by adding a simple alteration to the arrangement structure of electrodes(vias) and the ReRAM elements concerning a ReRAM, by working by applying a predefined working rule to a memory cell selection transistor array to be refined, and also by working by applying another working rule to the ReRAM elements.例文帳に追加
ＲｅＲＡＭに関し、電極（ビア）及びＲｅＲＡＭ素子の配置構造に簡単な改変を加え、微細化すべきメモリセル選択トランジスタアレイには所要の加工ルールを適用して加工し、且つ、ＲｅＲＡＭ素子には別の加工ルールを適用して加工することを可能にし、ＲｅＲＡＭ素子の間隔がルール違反にならないようにする。 - 特許庁
A resistance based random access memory (ReRAM) is provided with a current reference circuit including at least three ReRAM reference cells coupled in parallel with one another.例文帳に追加
抵抗基盤ランダムアクセスメモリ（ＲｅＲＡＭ）は互いに並列に接続された少なくとも３つのＲｅＲＡＭ基準セルを有する電流基準回路を具備する。 - 特許庁
The ReRAM cells M of the semiconductor memory device are each formed at an intersection of and between a bit line BL and a word line WL so that each ReRAM cell M is electrically connected to the bit line BL and the word line WL.例文帳に追加
本発明の実施形態による半導体メモリ装置におけるＲｅＲＡＭセルＭは、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの交差部かつ間に、それらビット線ＢＬとワード線ＷＬとに電気的に接続されるように形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which controls the oxidation of a variable resistance film or the like in a manufacturing process by covering the whole side wall surfaces of an ReRAM cell by a silicon nitride film excellent in oxidation resistance performance and has a high stability and a high data retention nature of a state of the ReRAM cell, and to provide a method of manufacturing the semiconductor memory device.例文帳に追加
耐酸化性能に優れたシリコン窒化膜によってＲｅＲＡＭセルの側壁全面を覆うことによって、製造工程での可変抵抗膜等の酸化を抑制し、ＲｅＲＡＭセルの状態の安定性およびデータ保持性が高い半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
During memory cell data read operation, the selected memory cell and the current reference circuit including the ReRAM reference cell are activated simultaneously, and the current reference circuit is configured to provide a current from the selected memory cell and the reference current from the current reference circuit to a sense amplifying circuit of ReRAM.例文帳に追加
メモリセルデータ判読動作時に、選択されたメモリセルと前記ＲｅＲＡＭ基準セルを含む前記電流基準回路が同時に活性化され、ＲｅＲＡＭのセンス増幅器回路は、選択されたメモリセルからの電流と前記電流基準回路からの基準電流が提供されるように構成される。 - 特許庁
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「reram」を含む例文一覧
該当件数 : 17件
Moreover, on the whole side wall surfaces of the ReRAM cell, there is formed a side wall insulating film 20 using the silicon nitride film as a principal component, and furthermore at the outside thereof, there is formed an insulating film 21 between cells using a silicon oxide film as a principal component.例文帳に追加
また、ＲｅＲＡＭセルの側壁全面に、シリコン窒化膜を主成分とする側壁絶縁膜２０が形成されており、更にその外側にはシリコン酸化膜を主成分とするセル間絶縁膜２１が形成されている。 - 特許庁
To improve efficiency of code configuration by matching the code configuration of a burst error correction code with the number of input/output of PRAM, ReRAM and a solid electrolyte memory.例文帳に追加
バースト誤り訂正符号の符号構成をＰＲＡＭ、ＲｅＲＡＭ及び固体電解質メモリの入出力の数に適合させ、符号構成の効率を向上させる。 - 特許庁
In the ReRAM cell M, a first electrode 1, a first diode D1, a resistor R, a second diode D2, and a second electrode 2 are connected in series in this order in a direction from the bit line BL to the word line WL.例文帳に追加
そして、ＲｅＲＡＭセルＭは、第１電極１、第１ダイオードＤ１、抵抗素子Ｒ、第２ダイオードＤ２、第２電極２の順番に、ビット線ＢＬからワード線ＷＬ方向にそれらが直列的に接続されて形成されている。 - 特許庁
A material to be used as a resistance change layer which constitutes ReRAM includes: a perovskite material such as PrCaMnO3 (PCMO), LaSrMnO3 (LSMO) and GdBaCoxOy (GBCO); and an oxide of a binary transition metal having a composition deviated from stoichiometry, such as nickel oxide (NiO) and vanadium oxide (V2O5).例文帳に追加
ＲｅＲＡＭを構成する抵抗変化層、ＰｒＣａＭｎＯ３（ＰＣＭＯ）、ＬａＳｒＭｎＯ３（ＬＳＭＯ）、ＧｄＢａＣｏｘＯｙ（ＧＢＣＯ）等のペロブスカイト材料や、ニッケル酸化物（ＮｉＯ）、バナジウム酸化物（Ｖ２Ｏ５）等の化学量論からずれた組成を有する２元系の遷移金属酸化物材料等が扱われている。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which includes a memory cell array comprising ReRAM cells, and which reduces a reverse bias current flowing into a non-selected cell, and whose breakdown voltage against a yield phenomenon is increased so that the device can be used at a high potential.例文帳に追加
非選択セルに流れる逆方向バイアスの電流を低減することができ、かつ降伏現象への耐圧を増加し高電位でも対応可能な、ＲｅＲＡＭセルから構成されたメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The ReRAM cell is constituted by the following components, for example a first electrode 11 consisting of a conductive material, a diode 12 consisting of polycrystalline silicon, a second electrode 13 consisting of the conductive material, a variable resistance film 14 consisting of a transition metal oxide film, and a third electrode 15 consisting of the conductive material.例文帳に追加
ＲｅＲＡＭセルは、例えば、導電性材料からなる第１電極１１、多結晶シリコンからなるダイオード１２、導電性材料からなる第２電極１３、遷移金属酸化膜からなる可変抵抗膜１４、および導電性材料からなる第３電極１５から構成されるものとする。 - 特許庁
To promote large capacity, high performance and high reliability of a semiconductor memory device, by attaining high-performance of both a semiconductor device and a memory element, when the semiconductor memory device is manufactured by stacking a memory element, such as, ReRAM or a phase change memory and the semiconductor device.例文帳に追加
相変化メモリやＲｅＲＡＭなどの記憶素子と半導体デバイスの積層により構成される半導体記憶装置を製造する際に、半導体デバイスと記憶素子の両方を高性能化し、半導体記憶装置の大容量化、高性能化、高信頼化を促進する。 - 特許庁
To shorten the manufacture time of a resistance change memory device (ReRAM) for which one electrode of a resistance change element is constituted of a transition metal, to improve the working accuracy of a transition metal electrode, and to prevent the degradation of the current/voltage characteristics of the resistance change element.例文帳に追加
抵抗変化素子の一方の電極が遷移金属によって構成された抵抗変化メモリ装置（ＲｅＲＡＭ）の製造時間の短縮化、遷移金属電極の加工精度の向上、及び当該抵抗変化素子の電流—電圧特性の劣化防止である。 - 特許庁
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