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意味・対訳 犠牲層
「sacrificing layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 34件
A film of a piezoelectric layer is formed by the MOCVD method on a sacrificing piezoelectric layer formed by the PVD method.例文帳に追加
ＰＶＤ法にて形成した犠牲圧電層の上にＭＯＣＶＤ法で圧電層を成膜する。 - 特許庁
This obtains the gas diffusion layer, which is given with the water retentivity, obtained without sacrificing gas permeability.例文帳に追加
これによって、ガス透過性を犠牲にせずに保水性を付与したガス拡散層が得られる。 - 特許庁
A first electrode and a sacrificing layer are continuously formed on a substrate, then a first opening part for forming an inner support base is formed in the first electrode and the sacrificing layer.例文帳に追加
第一電極および犠牲層を、基板上に連続的に形成し、次に、内側の支持体を形成するための第一開口部を、第一電極および犠牲層中に形成する。 - 特許庁
Then, a polarizing electric field is applied between the upper surface polarizing electrode 14 and the conductive sacrificing layer, and subsequently the upper surface polarizing electrode 14, the meander electrode 20, and the conductive sacrificing layer are removed.例文帳に追加
上面分極電極１４と導電性犠牲層との間に分極電界を印加した後、圧電基板から上面分極電極１４、ミアンダ電極２０、および導電性犠牲層を除去する。 - 特許庁
Furthermore, the source-side sacrificing layer 81 and the memory sacrificing layer 82 are removed, and pillar-shaped semiconductor layers (29, 37 and 48) are formed so as to fill insides of the source-side hole 27, the memory hole 35 and the drain side hole 46.例文帳に追加
続いて、ソース側犠牲層８１及びメモリ犠牲層８２を除去し、ソース側ホール２７、メモリホール３５及びドレイン側ホール４６内を埋めるように柱状半導体層（２９、３７、４８）を形成する。 - 特許庁
The electromechanical signal selection element attains minute detection of a signal with high sensitivity by "liquefying and eliminating the sacrificing layer" or "ionizing, moving and eliminating the sacrificing layer" when a very small gap is formed among the micro vibrator, the stimulation electrode, and the detection electrode.例文帳に追加
微小振動子と励振電極、検出電極間の微小ギャップ形成において、「犠牲層を液化し除去する」、また「犠牲層をイオン化し移動させ除去する」ことにより、微細でかつ高感度の検出を実現する。 - 特許庁
The length of the short sides of the vibrating plate is formed 150μm or less and the clearance 7 is formed by the sacrificing layer process performing dry etching using sacrificing layer removal holes provided along the long sides.例文帳に追加
振動板の短辺長は１５０μｍ以下に形成され、空隙７は振動板の長辺に沿って設けられた犠牲層除去孔を用いてドライエッチングを行う犠牲層プロセスによって形成される。 - 特許庁
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「sacrificing layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 34件
A 200 nm-thick ZnO sacrificing layer 102 is formed on a sapphire substrate 101, and a 0.5 μm-thick AIN layer 103 is formed on the layer 102.例文帳に追加
サファイア基板１０１上にZnO犠牲層１０２を 200nm形成し、さらにその上にAlN層１０３を0.5μm形成する。 - 特許庁
A Ge layer 120 is used as a sacrificing layer, oxygenated water is used as an etching solution to make a cantilever beam structure (a, b).例文帳に追加
Ｇｅ層１２０を犠牲層として、過酸化水素水をエッチング液として用いて片持ち梁構造とする（ａ，ｂ）。 - 特許庁
Thereafter, the sacrificing layer is removed by using a release etching method through the second opening part and a cavity is formed in the optical interference type reflection structure.例文帳に追加
その後、リリースエッチング法を用いて、犠牲層を、第二開口部を通して除去して、光学干渉型反射構造体中に空洞を形成する。 - 特許庁
A source-side hole 27 is formed so as to penetrate a source-side first insulating layer 21 to a source-side separation insulating layer 23, and a source-side gate insulating layer 28 and a source-side sacrificing layer 81 are formed on a sidewall thereof.例文帳に追加
積層させたソース側第１絶縁層２１〜ソース側分離絶縁層２３を貫通させてソース側ホール２７を形成し、その側壁にソース側ゲート絶縁層２８、ソース側犠牲層８１を形成する。 - 特許庁
Thus, the excellent piezoelectric layer can be obtained with high crystalinity without cracks because of the lattice matching by forming the film of the piezoelectric layer by the MOCVD method on the sacrificing piezoelectric layer film-formed by the PVD method.例文帳に追加
故に、ＰＶＤ法で成膜した犠牲圧電層上にＭＯＣＶＤ法で圧電層を成膜すると、高結晶性を備え、しかも格子整合することからクラックもない良好な本圧電層を得ることができる。 - 特許庁
Thereafter the sacrificing piezoelectric layer film-formed by the PVD method is removed by a developing solution to use only the piezoelectric layer with high quality for the resonator.例文帳に追加
その後ＰＶＤ法で成膜した犠牲圧電層は現像液で除去することにより高品位の圧電層のみを共振器として使用することが可能となる。 - 特許庁
To make a thick film semiconductor layer for supporting a device structure comprising a III-V nitride semiconductor sufficiently thick without sacrificing crystallinity.例文帳に追加
III-Ｖ族窒化物半導体からなるデバイス構造の結晶性を損なうことなく、該デバイス構造を支持する厚膜半導体層の膜厚を十分に大きくできるようにする。 - 特許庁
The film formed sacrificing piezoelectric layer formed by the PVD method is not affected by the lattice matching performance with a base film unlike the MOCVD method and has a high C axis orientation.例文帳に追加
ＰＶＤ法で成膜した犠牲圧電層は、ＭＯＣＶＤ法と違って、下地膜との格子整合性の影響を受けず、高いＣ軸配向性を持つ。 - 特許庁
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