seed elementとは 意味・読み方・使い方

The gate electrode 20 is equipped with a base layer 30, a seed layer 31 formed of metal element having a smaller ionization tendency than that of the base layer 30, and a wiring layer 32 formed on the seed layer 31.例文帳に追加

ゲート電極２０が、ベース層３０と、ベース層３０の上に設けられ、ベース層３０をなす元素よりもイオン化傾向の小さい金属元素からなるシード層３１と、シード層３１の上に設けられた配線層３２とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic element plating seed layer capable of forming a seed layer on the surface of electronic elements with less devices in a simple manufacturing process.例文帳に追加

少ない装置かつ簡単な製造工程で電子素子の表面に種子層を形成することのできる電子素子めっき種子層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preparing low-molecular minute particles with a high monodispersibility in a simple and stable manner, which are appropriate as seed particles for seed polymerization, and further suitable for a spacer for use in a liq. crystal display element, for minute electroconductive particles, etc.例文帳に追加

シード重合に用いるシード粒子に適し、更に、液晶表示素子用スペーサや導電性微粒子等に適した低分子量で、単分散性が高い微粒子を簡便に，かつ、安定的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

This high power pulse light source has a rare earth element-doped optical fiber amplifier 3 which amplifies the pulse seed light generated by a pulse seed light source 2 based on a stimulated emission effect.例文帳に追加

パルス種光源２が生成したパルス種光を、誘導放出効果によって増幅する希土類添加光ファイバ増幅器３を備えている。 - 特許庁

Further, preferably the seed forming layer is alloyed with at least one element selected from Ni, Co, Fe and Cu.例文帳に追加

さらに、前記核生成層が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種以上の元素と合金化されてなることが好ましい。 - 特許庁

Also it is able to form a dissimilar element junction structure having various forms by regulating the characteristics of the crystal to be used as the initial seed.例文帳に追加

また、初期シードとして使われる結晶の特性を調節することによって多様な形態の異種接合構造物を形成できる。 - 特許庁

To provide a farm implement in which functional element portions such as wheels and a seed-delivering portion can simply be attached or detached to or from the machine body.例文帳に追加

機体から車輪や種子繰出部等の機能要素部を簡単に着脱することができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element and a method of manufacturing the same with which inclination from a seed crystal of crystal alignment of a nitride-system III-V group compound semiconductor grown in the lateral direction from the seed crystal is controlled, and element characteristics is also improved.例文帳に追加

簡単な工程で、種結晶から横方向に成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶方位が種結晶から傾くことを抑制し、素子特性を向上させることができる半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁