silicon germanideとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of forming a metal material at simple and easy mounting process without a risk of causing short circuit in between metal materials, when co-integration is processed for nickel silicide and nickel germanide from a substrate including a semiconductor region containing silicon and that containing germanium.例文帳に追加

シリコンを含有する半導体領域及びゲルマニウムを含有する半導体領域を含む基板から、ニッケルシリサイド及びニッケルジャーマナイドの共集積化を行うに際し、金属系材料の間で短絡の危険なしに、実装が単純かつ容易な金属系材料の形成方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate including silicon, a first gate insulating film and a second gate insulating film formed of a high dielectric material having a specific dielectric constant of 8 or larger formed on the semiconductor substrate, a first gate electrode formed of germanide formed on the first gate insulating film, and a second gate electrode formed of silicide formed on the second gate insulating film.例文帳に追加

半導体装置は、シリコンを含む半導体基板と、前記半導体基板上に形成された比誘電率が８以上の高誘電材料からなる第１、および第２のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に形成されたジャーマナイドからなる第１のゲート電極と、前記第２のゲート絶縁膜上に形成されたシリサイドからなる第２のゲート電極と、を備える。 - 特許庁