spontaneous growthとは 意味・読み方・使い方

To provide an adjusting method of a growth base material capable of easily adjusting a material to the growth base material capable of forcibly feeding earth generated at a site by using air, and capable of preparing a growth base suitable even for germination growth of woody plants including spontaneous species.例文帳に追加

現地発生土をエアーを用いて圧送可能な生育基盤材に容易に調整可能にすると共に、自生種をはじめとする木本植物の発芽生育にも適する生育基盤を造成可能な生育基盤材の調整方法を提供する。 - 特許庁

The duct of the implant is packed with an osteogenic material, an osteoinductive material or an osteoconductive material to promote the vertebrae fusion and to enable the spontaneous endosteal growth.例文帳に追加

インプラントの導管に骨形成材料、骨誘導材料、または骨伝導材料を充填し、椎骨融合を推進すると共に自生骨内成長を可能にすることができる。 - 特許庁

In 1939, Genichi KOIZUMI pointed out the similarity with Osakura in Jeju, of the Republic of Korea, and advocated a theory that regarded Jeju as the place of spontaneous growth and origin, but since there is no extant pressed flower specimen, which is said to have been used by Koizumi to compare Someiyoshino and Osakura, this theory has been doubted since the beginning.発音を聞く 例文帳に追加

1939年に小泉源一が大韓民国の済州島の王桜との類似を指摘して、済州島が自生地であり起源とする説を唱えたが、小泉がソメイヨシノと王桜との比較に用いたとされる押し葉標本が残されておらず、当初からこの説は疑問視されていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a ferroelectric substance having spontaneous polarization component in vertical direction to substrate surface and excellent in leak resistance of electric current and fatigue resistance and capable of carrying out low-temperature growth without causing lowering of ferroelectric property and electronic part thereof.例文帳に追加

基板表面に対して垂直方向の自発分極成分をもつとともに、強誘電性の低下を招くことなく、電流のリーク及び耐疲労特性に優れた低温成長可能な強誘電体薄膜及びその電子部品を提供する。 - 特許庁

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion.例文帳に追加

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。 - 特許庁