sticking probabilityとは 意味・読み方・使い方

To provide a sticking method capable of reducing a proportion of generating foams between sticking faces and increasing the probability of defoaming in a post process when a hard sticking material is to be stuck to another hard object of sticking.例文帳に追加

硬い被貼付材に対し同じ硬い貼付材を貼付する際に、貼付面間に気泡が発生する割合を低減し、後工程における脱泡の確率を高めることができる貼付方法を提供する。 - 特許庁

When the coating rate is in the range of 40-80%, the probability of sticking of H2O can be made lowest.例文帳に追加

上記被覆率としては４０〜８０％の範囲に含まれるときが、Ｈ_2 Ｏ付着確率をもっとも低くすることができる。 - 特許庁

To treat the surface of a vacuum material so that the sticking probability of H2O on the surface of the vacuum material can be lowered.例文帳に追加

真空材料の表面におけるＨ_2 Ｏ付着確率を低減できる真空材料の表面処理方法を提供することにある。 - 特許庁

When As_4 is used as the As molecular beam source in this case, excessive group III elements are generated and cause three-dimensional growth, because the sticking probability of As becomes about 0.5.例文帳に追加

これに対して、Ａs_4を用いた場合にはＡsの付着確率が略０.５となるため過剰のIII族元素が発生して三次元成長を招く。 - 特許庁

The outgassing amount during moving is reduced by applying a gas molecule sticking amount reducing treatment such as coating a material with a low gas molecule sticking probability on a guide shaft surface of a fixed body or a movable body surface or both.例文帳に追加

固定体のガイド軸表面及び移動体表面又はその両方に、気体分子付着確率の低い材質でコーティングを行う等の気体分子付着量低減処理を施すことで、移動中のガス放出量を低減した。 - 特許庁

To reduce a probability that an electronic component may be peeled from a base material even if an adhesive with a weak adhesive force for the base material is used as an adhesive for sticking the electronic component to the base material.例文帳に追加

電子部品をベース基材に接着するための接着剤としてベース基材に対して接着力が弱いものを使用した場合であっても、電子部品がベース基材から剥離してしまう可能性を低減する。 - 特許庁

When the As/group III supply ratio is adjusted to 1 at producing of the structure 10, the layers 2-4 can be grown, without generating excessive group III elements, because the sticking probability of As becomes about 1, when the As_2 is used as the As molecular beam source.例文帳に追加

その場合に、Ａs/III族供給比＝１とすると、Ａs分子線源としてＡs_2を用いることによって、Ａsの付着確率は略１であるため過剰のIII族元素が発生することなく成長が可能である。 - 特許庁