| 意味 | 例文 (11件) |
strained-layer quantum wellとは 意味・読み方・使い方
追加できません
(登録数上限)
単語を追加
意味・対訳 歪層量子井戸
「strained-layer quantum well」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
An asymmetric strain is produced in the surface of the strained quantum well of the semiconductor quantum well layer 13.例文帳に追加
半導体量子井戸層１３の歪量子井戸の面内には非対称な歪が発生する。 - 特許庁
The InGaAsP strained quantum well active layer has: a multiple quantum well structure having an InGaAsP barrier layer 40 and an InGaAsP well layer 42 alternately laminated; and InGaAsP guide layers 44 and 46 between which the multiple quantum well structure is sandwiched.例文帳に追加
ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層は、ＩｎＧａＡｓＰバリア層４０及びＩｎＧａＡｓＰウェル層４２が交互に積層された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造を挟むＩｎＧａＡｓＰガイド層４４，４６とを有する。 - 特許庁
The semiconductor saturable absorber mirror is produced by allowing a reflection mirror layer 12 made of DBR to grow on an inclined substrate 11 and also by allowing a semiconductor quantum well layer 13 on the mirror layer to grow as a saturable absorbing layer including a strained quantum well.例文帳に追加
傾斜基板１１上にＤＢＲからなる反射ミラー層１２を成長させ、その上に、歪量子井戸を含む可飽和吸収層として半導体量子井戸層１３を成長させることにより半導体可飽和吸収体ミラーを作製する。 - 特許庁
The semiconductor modulator has such a configuration that an InGaAs/InAlAs quantum well layer 3 is formed by arranging an InAlAs barrier layer which is lattice-matched with a substrate on both sides of an InGaAs compressively-strained quantum well layer which is formed as light absorption layer, on a semiconductor crystal InGaAs substrate 1 of ternary mixed crystal.例文帳に追加
半導体変調器を、３元混晶の半導体結晶ＩｎＧａＡｓ基板１上に、光吸収層として、ＩｎＧａＡｓ圧縮歪量子井戸層の両側に、基板に格子整合するＩｎＡｌＡｓ障壁層を配したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層３を形成する構成とした。 - 特許庁
In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.例文帳に追加
半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁
A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of 1×10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.例文帳に追加
ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 - 特許庁
On a p-type InP substrate, a p-type InP clad layer, an InGaAsP strained quantum well active layer, and an n-type InP clad layer are laminated in order.例文帳に追加
ｐ型ＩｎＰ基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層が順次積層されている。 - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「strained-layer quantum well」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
Near the light output end faces, impurities are introduced into the strained quantum well active layer 12 and a window region 4a is provided whose composition is disordered.例文帳に追加
光出力端面の近傍では、歪量子井戸活性層１２に不純物が導入され、組成が無秩序化された窓領域４ａが設けられている。 - 特許庁
An InGaAs strained quantum-well active layer 16 of a semiconductor optical amplifier 30 includes: two optical waveguides 16A and 16B; a demultiplexing part 16C for demultiplexing incident light into the optical waveguides 16A and 16B; and a multiplexing part 16D for multiplexing light from the optical waveguides 16A and 16B.例文帳に追加
半導体光増幅器３０のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層１６は、２つの光導波路１６Ａ、１６Ｂ、入力された光を光導波路１６Ａ、１６Ｂに分波する分波部１６Ｃ、光導波路１６Ａ、１６Ｂからの光を合波する合波部１６Ｄを含む。 - 特許庁
In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, an InGaAsP strained multiple quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加
発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、ＩｎＧａＡｓＰ多重歪量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁
A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加
半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁
|
| 意味 | 例文 (11件) |
|
|
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
みんなの検索ランキング
閲覧履歴
 | 「strained-layer quantum well」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
