stripe geometryとは 意味・読み方・使い方

A vertical-type field effect transistor includes a semiconductor layer 2 having multiple trenches 10 with a stripe geometry, a gate electrode 50 partially embedded in the multiple trenches 10, base regions 20 and 21, and a source region 25.例文帳に追加

ストライプ状の複数のトレンチ１０を有する半導体層２と、複数のトレンチ１０に部分的に埋め込まれたゲート電極５０と、ベース領域２０，２１と、ソース領域２５とを備える。 - 特許庁

Of the multilayered structure, the upper part of the p- AlGaAs clad layer and the GaAs cap layer are processed into a mesa of the stripe-shape geometry having a width of 4 μm.例文帳に追加

積層構造のうちｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層の上部及びＧａＡｓキャップ層は、幅４μｍのストライプ状メサに加工されている。 - 特許庁

The gate electrode 106 has a first region including a planar portion 106-4 extended over a channel region, and a second region including a group of slits 107 which is composed of portions 106-1, 106-2, and 106-3 formed in the stripe geometry.例文帳に追加

ゲート電極１０６は、チャネル領域上に延在する面状部分１０６−４を含む第１領域と、ストライプ形状部分１０６−１、１０６−２、１０６−３からなるスリット群１０７を含む第２領域とを有する。 - 特許庁

This semiconductor laser possesses a first clad layer 12, an active layer 16 formed on the first clad layer and having a multiple quantum well layer composed of a GaN semiconductor, a current constriction layer 24, formed on the active layer and having an opening 26 of stripe geometry, and a second clad layer 22 formed on the current constriction layer and having a mesa stripe 23 that corresponds to the opening.例文帳に追加

第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層上に形成され、ＧａＮ系半導体より成る多重量子井戸層を有する活性層１６と、活性層上に形成され、ストライプ状の開口部２６が形成された電流狭窄層２４と、電流狭窄層上に形成され、開口部に応じたメサストライプ２３を有する第２のクラッド層２２とを有している。 - 特許庁

On the surface of an n-type GaN substrate 10 which consists of low dislocation regions 12 and dislocation concentrated regions 11 wherein crystal defects are heavily concentrated, which are arranged alternately in the stripe geometry, a growth suppression film 13 for suppressing the growth of a GaN crystal is so formed as to cover the dislocation concentrated regions.例文帳に追加

結晶欠陥が高密度となる転位集中領域１１と低転位領域１２とを交互にストライプ状に備えたｎ型ＧａＮ基板１０の表面上に、まず、ＧａＮ結晶成長を抑制する成長抑制膜１３を転位集中領域１１を被覆するように形成する。 - 特許庁

A synthetic resin sheet material P held between a trimming die 10 fitted with a cutting blade 11 and a ruled line blade 12 and a die mold 20 with a face plate body 1 fixed is punched/separated in the external form of a development geometry corresponding to the packaging container to form the ruled line to be the fold in the shape of a stripe.例文帳に追加

切断刃１１、罫線刃１２を配設した抜型１０と、面版本体１を固着したダイ型２０との間で挟持した合成樹脂シート材Ｐに対して、包装容器に対応した展開形態の外形で打ち抜き分離し、折目となる罫線を筋状に形成する。 - 特許庁

In the trench type IGBT 10, a ladder-like emitter region 15 is formed in a surface portion of a P-channel region 14 and trenches 16 are formed from the surface of a stripe-geometry portion 15a of the emitter region 15 in such a manner as to reach an N^- semiconductor layer 13, penetrating part of the P-channel region 14.例文帳に追加

トレンチ型ＩＧＢＴ10は、Ｐチャネル領域14の表面部に梯子状のエミッタ領域15が形成され、エミッタ領域15のストライプ状部15ａの表面からＰチャネル領域14の一部を貫いてＮ^−半導体層13に達するように、トレンチ16が形成されている。 - 特許庁

In an area near a rear end face of a resonator, a p-AlGaAs second upper clad layer 109 of the stripe geometry having a nearly triangular cross-sectional shape, n-AlGaAs first current blocking layer 112, n-GaAs second current blocking layer 113, p-GaAs flattened layer 114, and p-GaAs cap layer 116 form a pnp junction.例文帳に追加

共振器後端面近傍の領域において、断面略３角形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６でｐｎｐ接合を形成している。 - 特許庁