successive formationとは 意味・読み方・使い方

To provide a multiple target sputtering apparatus which allows successive film formation with a plurality of targets while maintaining the atmosphere in a vacuum chamber, has a simple structure, and is excellent in reducing size and cost.例文帳に追加

真空チャンバ内の雰囲気を維持しつつ順次複数のターゲットによる成膜が可能であるとともに、構造がシンプルで小型化、低コスト化に優れたマルチターゲットスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing printed boards for formation of fine circuits including inexpensive successive processes of precise planarizing processing which can be applied to a large area and actualizes fine circuit patterns economically.例文帳に追加

低価の簡単且つ連続的な工程によって平坦化作業を精密に行って大面積への適用が可能であり、微細回路パターンを経済的に実現することが可能であること。 - 特許庁

The electrically conductive hollow glass fiber 50 is obtained by performing the cooling and solidifying of the hollow glass fiber and the successive sputter film formation of the electrically conductive substance such as aluminum on the outer surface of the hollow glass fiber in the process of spinning out the hollow glass fiber from the hollow spinneret and winding the fiber by the winding device.例文帳に追加

中空紡糸口金から中空ガラス繊維を紡出し、巻取装置で巻き取る過程で、この中空ガラス繊維の冷却固化と、これにつづく中空ガラス繊維外周面へのＡｌ等の導電性物質のスパッタ成膜とを行うことで、導電性中空ガラス繊維５０を得る。 - 特許庁

In the manufacturing method of the organic EL element, a masking film layer 4 with a prescribed masking pattern is formed on a transparent substrate 1 with a transparent electrode, followed by successive formation of an organic EL film 22 and the back electrode 23 on the masking film layer 4.例文帳に追加

本有機ＥＬ素子の製造方法は、透明電極２１が形成された透明基板１上に、所定のマスク形状を有するマスキングフィルム層４を形成した後、有機ＥＬ膜２２及び背面電極２３を順次形成する。 - 特許庁

With this composition, a recrystallization region of a molten ball 2 is shortened, thereby a bump height L is shortened and stabilized and a distance between a tip of the wire W and a discharge rod g is stabilized, which enables successive bump formation by preventing occurrence of machine stop due to a spark error and achieves improvement of long-term junction reliability.例文帳に追加

この組成であると、溶融ボール２の再結晶領域が短くなってバンプ高さＬが短く安定化し、かつ、ワイヤＷの先端と放電棒ｇの距離が安定するため、スパークエラーによるマシンストップが発生することなく連続でバンプ形成が可能となるとともに、長期接合信頼性を向上し得る。 - 特許庁

In metal films having the MIM capacitors, an error due to bridging generated at etching is resolved by a thermal treatment, and an error induced in the successive bottom electrode etching process due to an abnormal phenomenon generated at etching for the electrode formation in an MIM structure is prevented.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを持つ金属膜において、エッチング時に発生するブリッジによるエラーを熱処理により解決し、かつ、ＭＩＭ構造の電極形成のためのエッチング時に発生する異常現象により後続の下部電極（Ｂｏｔｔｏｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）エッチング工程に誘発されるエラーを防止する。 - 特許庁

To provide a technique of successively forming bulges capable of being executed without causing defects such as cracks in a molding even if bulges having an angle near to a right angle are successively formed on a sidewall face (inclined face), or even if a tool for successive bulge formation is moved at an increased pitch.例文帳に追加

側壁面（傾斜面）が垂直に近い角度を持つような逐次張出成形の場合でも成形品に割れ等の問題が起き難く、或いは逐次張出成形を行なう為の工具の移動ピッチを大きくしても成形品が比較的綺麗な成形面を持つ逐次張出成形技術を提供することである。 - 特許庁

In a manufacturing method for a semiconductor device having a device isolating embedded oxide film, after an isolating trench is formed in a silicon semiconductor substrate, the embedded oxide film is embedded using the same plasma CVD apparatus in the isolating trench, by executing successive film formation processings altering processing conditions (deposition/ sputtering ratio) plurality of times.例文帳に追加

素子分離埋め込み酸化膜を有する半導体装置の製造方法において、シリコン半導体基板に分離溝を形成した後に、同一のプラズマＣＶＤ装置を用いて、処理条件（デポジション／スパッタリング比）を変更した複数回の連続した成膜処理を実行することにより、前記分離溝に埋め込み酸化膜を埋設する。 - 特許庁