tox.とは 意味・読み方・使い方

A plurality of transistor type capacitive element 1, 2 are connected in parallel, and each threshold voltage Vth is different each other by a difference of gate insulating film thickness Tox, or channel density.例文帳に追加

複数のトランジスタ型の容量素子１，２を並列に接続して構成し、ゲート絶縁膜の膜厚Ｔｏｘやチャネル濃度の相違により、しきい値電圧Ｖｔｈが互いに異なるように形成する。 - 特許庁

The frame 16 is formed from a plurality of, preferably two, steel plates, and one plate 19 is coupled with the guide rail 12 by TOX (R) caulking.例文帳に追加

フレーム（１６）を複数枚、好ましくは２枚のスチールプレートにより構成し、１枚のプレート（１９）をガイドレール（１２）にトックスカシメにより結合させる。 - 特許庁

Next, an insulating film IPD is formed on inner faces of the through-hole H and the removed portion A, a floating gate electrode FG formed of silicon is formed in the removed portion A, and an insulating film TOx is formed to cover a portion of the floating gate electrode FG facing the through-hole H.例文帳に追加

次に、貫通ホールＨ及び除去部分Ａの内面上に絶縁膜ＩＰＤを形成し、除去部分Ａの内部にシリコンからなる浮遊ゲート電極ＦＧを形成し、浮遊ゲート電極ＦＧにおける貫通ホールＨに面した部分を覆うように絶縁膜ＴＯｘを形成する。 - 特許庁

k satisfies k=(2 mE/(h/2π)^2)^0.5, where m represents the mass of electron, E represents the energy level of trap of the tunnel insulating film, h represents Planck's constant, and π represents circular constant.例文帳に追加

なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)^2)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。 - 特許庁

The sensitivity of the element parameter being the differential amount of the electric characteristics for the element parameters such as ΔL, ΔW, Tox and Vtho is found by performing circuit simulation, the sensitivity of the element parameter in the regular equation of a linear least square and the values of the electric characteristics required in the corner are applied to find the unevenness of the element parameter in the corner.例文帳に追加

ΔＬ，ΔＷ，Ｔox，Ｖth0等の素子パラメータに対する電気特性の微分量である素子パラメータ感度を回路シミュレーションを行って求め、線形最小自乗法の正規方程式に素子パラメータ感度とコーナーに要求される電気特性の値とを適用してコーナーにおける素子パラメータのバラツキを求める。 - 特許庁