trivalenceとは 意味・読み方・使い方

This is the flaky compound in which M is the element containing Ti showing trivalence or quadrivalence.例文帳に追加

Ｍが、３価および４価を示すＴｉを含む元素である前記の薄片状化合物。 - 特許庁

This medical treatment material is composed of a galactomannan cross-linked porous body composed of galactomannan, and a polyvalent metal ion not less than a trivalence.例文帳に追加

ガラクトマンナンと三価以上の多価金属イオンから成るガラクトマンナン架橋多孔体から構成される医療用手当材。 - 特許庁

Instead of solid-soluted and coprecipitating all metals to nickel hydroxide, the metals which extremely lessen the tap density and the metals having the valence of trivalence or more are applied over the surface of the nickel hydroxide without being solid-soluted and coprecipitated thereto.例文帳に追加

すべての金属を水酸化ニッケルに固溶／共沈させるのではなく、タップ密度を著しく低下させる金属、及び３価以上の原子価をとる金属は固溶／共沈させずに水酸化ニッケル粒子表面に被覆する。 - 特許庁

In Li(Ni_xMn_2-x)O_4 (where, 0.4≤x≤0.6), a part of Mn is substituted by a metal element that is lighter than Mn and is capable of taking on univalence to trivalence, and further, O is substituted by F or Cl.例文帳に追加

Ｌｉ（Ｎｉ_xＭｎ_2-x）Ｏ_4（０．４≦ｘ≦０．６）において、Ｍｎの一部をＭｎより軽い元素でかつ１価から３価を取りうる金属元素で置換し、さらにＯをＦまたはＣｌで置換する。 - 特許庁

The variable resistance element is formed of a variable resistor 5 of the titanium oxide doped by its element having a valence of a trivalence or lower and its electric resistance between electrodes 4 and 6 for the variable resistor 5 is changed by applying a voltage to the electrodes 4 and 6.例文帳に追加

可変抵抗体５は原子価が三価以下の元素がドープされたチタン酸化物によって形成され、可変抵抗体５の電極４，６間の電気抵抗が電極４，６への電圧の印加によって変化する特性を有することを特徴とする。 - 特許庁

The metal film transferring film with a structure in which a releasing layer and a metal layer are made into films in this order on the plastic film and comprising a polyester comprising a polybasic acid with at least trivalence and a polyhydric alcohol as the releasing agent forming the releasing layer is provided.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に離型層および金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、その離型層を形成する離型剤に三価以上の多塩基酸と多価アルコールとからなるポリエステルが含有されている電子部品用金属膜転写フィルム。 - 特許庁

The method of producing sputtering target includes processes of: mixing tin oxide powder, zinc oxide powder and oxide powder of elements of trivalence or more which contain no sulfide; calcining the mixture at 800 to 1,300°C; crushing and granulating the calcined mixture; thereafter forming the crushed and granulated material by pressing; and, thereafter, sintering the formed material to produce the sputtering target.例文帳に追加

硫化物を含まない酸化錫粉、酸化亜鉛粉、及び３価以上の元素の酸化物粉を混合して８００〜１３００℃で仮焼し、粉砕、造粒処理を経て加圧成形を行った後、焼結して製造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁