white annealingとは 意味・読み方・使い方

WHITE POWDER REMOVING DEVICE IN CONTINUOUS ANNEALING FURNACE例文帳に追加

連続焼鈍炉におけるホワイトパウダー除去装置 - 特許庁

To provide a method for controlling a bright annealing furnace with which the generation of white powder in the bright annealing furnace is restrained.例文帳に追加

光輝焼鈍炉に於けるホワイトパウダーの生成を抑制する光輝焼鈍炉の制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical device by which the removal of distortion by annealing and the adjustment of refractive index are effectively carried out and the occurrence of white fogging is suppressed and an annealing apparatus.例文帳に追加

本発明は、アニール処理による歪みの除去や屈折率の調整を効果的に行うことができ、かつ、白ヤケの発生を抑制することができる光学素子の製造方法及びアニール処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a continuous annealing furnace for bright annealing of a metal strip which introduces atmospheric gas in the furnace to the outside of the furnace thereby removing, at the outside of the furnace, white powder generated in the atmospheric gas and which prevents the adhesion of the white powder on the inner surface of a front chamber being the prestage of a heating chamber.例文帳に追加

炉内の雰囲気ガスを炉外に導いて雰囲気ガス中に発生するホワイトパウダーを炉外で除去でき、加熱室の前段の前室内面へのホワイトパウダーの付着を防止することのできる金属ストリップの光輝焼鈍用の連続式焼鈍炉を提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein a white ribbon of Si_3N_4 is formed on the surface of a silicon substrate to prevent a gate oxide film from being formed in the area where the white ribbon has been formed in a case wherein LOCOS is formed after a nitrogen annealing process is carried out in a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

半導体製造方法において、窒素アニール後にＬＯＣＯＳを形成する場合、シリコン基板表面にＳi_３Ｎ_４からなるホワイトリボンが生成され、その部分でゲート酸化膜の形成が阻害される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solid-state image pickup element where a silicon nitride film is not formed on the formation region of a light receiving part while suppressing the occurrence of dark current and white blemish by sufficient hydrogen annealing effect.例文帳に追加

十分な水素アニール効果を与えて暗電流や白キズの発生を抑制しながら、受光部の形成領域にシリコン窒化膜が形成されない固体撮像素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The first energy source can emit laser light, white light, an electron beam, gamma ray radiation, or other type of converged energy, and a local region of the wafer is preheated before it is irradiated with high output laser light for annealing.例文帳に追加

第１のエネルギー源は、レーザー光、白色光、電子ビーム、ガンマ線放射、又は別のタイプの集束されたエネルギーを発することが可能であり、アニーリングのために高出力レーザー光を照射する前にウェハの局所領域をプレヒートする。 - 特許庁